[参考译文] UCC21732-Q1：过流保护

尊敬的 Ravi：

我将能够在本周结束前回复您的请求。

此致、

Carter

尊敬的 Carter：

没问题。 等待您的答复。

此致、  

Ravi

尊敬的 Carter：

感谢您的答复。

SiC MOSFET 正常关断期间的击穿电流。 我已经测量了电压 VOC（采用去饱和保护电路布置的消隐电容器两端的电压）。

我观察到、由于 SiC MOSFET 的 dv/dt = 50 V/ns、电压 VOC 会突然升高。 VOC 的峰值达到 2V、令人惊讶的是栅极驱动器未检测到任何伪故障。 根据数据表、OC 引脚检测故障的内部阈值为 0.7V

现在、我可以理解、(i) 内部 FET 在 dv/dt 发生之前完全导通、(ii) 由于内部 FET 的有限电阻、VOC 跃升至阈值限制以上、以及 (iii) VOC 保持在 Vth 以上达 50ns、远小于 t_OCFIL、因此栅极驱动器不会发出任何错误故障检测。

我这边的理解是否正确？

谢谢、

Ravi Teja