Other Parts Discussed in Thread: BQ25750EVM, BQ25750
器件型号： BQ25750EVM
主题： BQ25750 中讨论的其他器件
主题：BQ25750EVM - D1（ACDRV 上的 15V 齐纳二极管）在 24V 插入过程中导致 ACDRV 过压和 MOSFET 损坏？
尊敬的 TI 团队和社区：
我正在评估在 J1 (VIN) 处连接 24V 外部适配器的 BQ25750EVM (SLUUCY7B 修订版 B)。 在测试过程中、我观察到了一系列事件、我认为这些事件会损坏 IC (U1) 并可能损坏外部电源。 我想了解 D1 (SZBX84C15LT3G、15V 齐纳二极管、SOT-23) 在这种失效中的作用。
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消息
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- VIN (J1)= 24V 外部直流开关适配器
-根据用户指南的表 2-4 进行默认的 EVM 跳线配置
-电池连接在 J3 ( VOUT ), 7 节锂离子配置
- R12 = 0 欧姆（默认值）、C9 = DNP（默认值）
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OBSERVED SEQUENCE
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1.初始插件时：ACDRV 引脚测量值约为 10V。 这是合理的、因为 REGN 正在充电、Q5/Q6 (AONS66917 ACFET) 尚未完全导通。
2. ACFET 导通后：ACDRV 电压上升至约 30V 至 34V、测量至 PGND。 这也是合理的、因为 ACDRV 必须自举至高于 VAC 以驱动高侧 N 沟道 FET：
ACDRV = VAC + VGS_drive = 24V + 10V =大约 34V 绝对值。
3.在此之后,外部适配器和/或电路板上的 MOSFET 将发生损坏。
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我对 D1 的担心
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查看原理图 (SLUUCY7B 的图 3-1)、D1 连接如下：
-阴极-> ACDRV 网络
-阳极--> AC_OUT 节点（Q5 和 Q6 之间的源点、当 FET 导通时位于 VAC = 24V 处）
这是一个悬空 VGS 钳位。 它将 Q5 的 VGS 限制为相对于其自身源 15V。 我理解这是预期的目的。
但是、我看到了潜在的双向传导风险：
(a) 反向/齐纳方向：将 VGS 钳位至 15V。 这是预期行为。
(b) 正向/二极管方向：如果 AC_OUT 产生大于 (ACDRV + 0.7V) 的正电压尖峰（这可能是由于输入线路上的电感开关瞬变而发生的）、D1 将从 AC_OUT 直接正向传导到 U1 (BQ25750) 的 ACDRV 引脚。
由于默认情况下 R12 = 0 欧姆且 C9 = DNP、因此在达到 BQ25750 IC 的 ACDRV 引脚之前、没有什么可以限制瞬态电流或吸收尖峰能量。
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问题
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1. BQ25750 上 ACDRV 引脚的绝对最大电压额定值是多少？ 34V 绝对值（输入为 24V 的 VAC + VGS_DRIVE）是否在引脚安全工作范围内？
2. D1 的正向传导路径（AC_OUT 尖峰--> D1 阳极至阴极--> U1 的 ACDRV 引脚）是否为公认风险？ 为什么 R12 和 C9 作为可选/DNP 元件存在--用来添加串联电阻和旁路电容以防止这种瞬态？
3.在 ACFET 开启时的启动瞬态期间、输入 VAC 线路的电感反冲可能会将 AC_OUT 节点尖峰到远高于 24V 的水平。 如果此时此尖峰电压超过 ACDRV 电压、D1 将正向传导。 这是否是此 EVM 的预期故障模式？
4.是否应使用开关适配器为任何实际应用安装 R12 的非零值（例如 10 至 22 欧姆）和 C9 (1nF)、以保护 ACDRV 引脚免受此瞬态注入的影响？
5、鉴于实际开关电源存在这种风险、为什么 EVM 默认配备 R12 = 0 欧姆和 C9 = DNP？
我附上了原理图的相关部分（图 3-1）、其中显示了 D1、Q5、Q6、R12、C9、 和 ACDRV 网进行参考。
感谢您的支持。 期待了解 D1 的预期设计意图和对此失效模式的正确缓解。
此致
