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[参考译文] CSD19537Q3:过载容量

Guru**** 2964790 points

Other Parts Discussed in Thread: CSD19533Q5A, CSD19537Q3, CSD19532Q5B

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1661014/csd19537q3-overload-capacity

器件型号: CSD19537Q3
主题中讨论的其他器件: CSD19532Q5B、CSD19533Q5A

您好的团队、

 客户有一个 48VIN、9A 总线电流的 BLDC 驱动器,旨在使用 CSD19537Q3 实现更高的功率密度。

 检查数据表时、有一个 9.7A 的新规格并带有注释。

 客户目标是检查 具有 1oz 的 6 层是否 可以覆盖 20ARMS 相电流和 30A 峰值电流?

 不使用灌封化合物;散热仅依赖于 PCB 和周围空气。

感谢大家分享建议的 PCB 面积大小。

image.png

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Allen、

    感谢您的查询。 请查看以下链接中的技术文章、了解 TI 如何评价 FET 的连续和脉冲电流。 我不确定新规格的含义。 我们的所有 FET 都具有连续和脉冲电流额定值、如技术文章中所述。 我还提供了一个基于 Excel 的 FET 选择工具的链接、该工具可用于根据功耗、每千片价格或封装比较多达 3 种 TI FET 解决方案。 在良好的多层 PCB 上、3.3x3.3mm SON 封装的最大耗散功率约为 2.5W。 我使用该工具进行的初始估算显示两个 FET 中的耗散超过 4W/FET、这大于封装可耗散的功率。 我为您附上了电子表格。 我认为他们需要考虑在更大、5mm x 6mm 的 SON 封装中使用较低 RDS (on) FET、例如 CSD19533Q5A 或 CSD19532Q5B。 如果您有任何问题、请告诉我。

    持续电流额定值: https://www.ti.com/lit/pdf/ssztcp0

    脉冲电流额定值: https://www.ti.com/lit/pdf/SSZTCJ6

    BLDC FET 选择工具: https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC

    e2e.ti.com/.../MOTOR_2D00_DRIVE_2D00_FET_2D00_LOSS_2D00_CALC_5F00_Rev2_5F00_Allen.xlsm

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用