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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1066031/ucc27714-bias-supply
您好 E2E， 您能否为栅极驱动器 IC 提供恒压恒定电流源？ 我们的客户正在使用 UCC27714半桥式栅极驱动器，希望知道如何提供正确的偏置电源以及如何正确获取电流电源？ 感谢你的帮助。 此致， 卡洛
你好，卡洛，
我们的专家将在接下来的几天内与您再次进行合作。
此致，
莱斯利
符合 UCC27714栅极驱动器要求的偏置电源是在 MOSFET Vgs 所需电压下提供稳定的电压源，并提供在开关频率下驱动 MOSFET Qg 所需的平均电流。 驱动器峰值电流将来自 VDD 电容器和 HB-HS 电容器，因此偏置电源不需要为栅极驱动器峰值电流供电。
通常控制器电路有一个现有的整体偏置电源，该电源可能具有额外的线性稳压器来满足其它所需的电压。 栅极驱动所需的平均电流由 LO 和 HO 输出 x 开关频率上所有 MOSFET 的总 Qg 决定。
确认这是否解决了您的问题，或者您可以在此主题上发布其他问题。
你好，理查德， 我们的客户尝试用15V 的 VDD 模拟 TINA TI 的电路，该 VDD 的内部电阻为150ohms。 首先，MOSFET 的开关是预期的，但在1毫秒后，占空比开始变小，并且从曲线上，启动电容器的放电速度更快。
根据您的解释，他们是否可以使用回扫控制器 IC 辅助绕组的齐纳夹？ 这会影响整体效率吗？ 我们的客户希望使用两个开关回扫来降低 MOSFET 的应力，因为如果使用 RCD 夹，它将导致高功率消耗，并且必须使用更大的 MOSFET，从而导致更高的损耗。 回扫的输出功率为360W (72V，5A)，输入电压为330V-410V。 根据计算结果，RCD 钳位将显著降低效率，且泄漏电感未知。 此致， 卡洛
感谢您的反馈。 对于 Tina 模拟，不清楚 VDD 15V 源的电阻为何为150欧姆，如果可以修改，我会在模拟中降低电阻。
如果启动电容器正在放电，您可能需要查看启动电容器值和启动系列电阻，以确保启动电容器可以支持 MOSFET Qg，并且启动电容器在切换期间刷新电量。
您能否分享应用程序的 TINA 原理图？ 如果您担心共享，可以提交朋友请求，我们可以在公共论坛以外的私人场合进行沟通。
此致
你好，理查德，
我们的客户试图限制来自偏置电源的电流。 通过限制电源电流，他们希望模拟100mA 的恒定电流源。 客户的 HO 和 LO 引脚上有4个 MOSFET。 栅电荷总量为81nC*4=324nC，转换频率为60kHz，请注意它们需要20mA 的平均供电电流。 这是否足以为 CVDD 充电，从而达到栅极驱动器的4A (接收器，源)？ 客户打算使用来自回扫变压器主辅助绕组的线性稳压器。 请参阅随附的 TINA TI 文件 。e2e.ti.com/.../ucc27714.TSC
此致， 卡洛
只要 VDD 电容器和 HB-HS 电容器的电压足以为 MOSFET Qg 充电，VDD 上的电流消耗将是开关电源设备所需的平均电流。
当每个驱动器输出上都有81nC x 2时，启动盖值100nF 将导致 HB 电容器上的电压下降162nC/100nF 或1.62 V。 建议将 HB 电容器增加到220nF，以减少 HB-HS 电压降。
由于我们建议 VDD 与 HB 电容器的比率为10x，因此 VDD 盖的电容为2.2uF。
额定电流为100mA 的线性稳压器应足以提供 IDD 平均电流。 但是，VDD 电容器的充电时间将会受到影响。 使用100mA 电流和1Uf 电容时，上升时间为 CDV/I 或1uF*15V/100mA=150us。 使用2.2uF 上限，上升时间将增加2.2倍。
这不是系统级别 VDD 的过度上升时间。 如果控制器 PWM 信号在启动序列中延迟，则不会出现此问题。
您好，Richards，
VDD 电容器的延迟充电时间(上升时间为150us)是否会影响工作周期和切换频率？ 我们的客户设计了 PWM 控制器(UCC28740DR)，以提供54KHz 的切换频率，占空比为52%，接通时间为9.63us。 这将如何影响 MOSFET 的切换？ 此致， 卡洛
VDD 上升时间仅应作为系统初始启动的考虑因素，而不应通过周期计时延迟来切换周期。 通常，在大多数系统中，输入电压和偏置电源在控制器启动控制信号之前启动一段时间，因此 VDD 上升时间不应成为问题。 但最好在申请中确认以确保。
