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[参考译文] BQ3055:无法写入数据闪存

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ3055

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1066408/bq3055-unable-to-write-data-flash

部件号:BQ3055

我已经和 BQ3055合作了大约一周,一直无法写入设备上的数据闪存。  我已经尝试了各种不同的方法来解释技术参考手册中的说明,但在尝试写入数据闪存时,设备不会确认发送给它的任何字节。  目前我的流程看起来就是这样。

1.通过发送0x00,0x19,0x01来选择数据闪存行19。

2.读取32字节数据块

3.发送0x2F,然后尝试回写读出的数据。

我还尝试重新选择数据闪存行,然后再将数据写回,但没有任何运气。  芯片在第一次尝试回写数据时确认地址,但不会确认发送的第一个字节。  任何再次尝试写入的尝试都会导致芯片无法确认地址。  在0x2F 之后,似乎可能会有一些特定的情况,但我找不到任何有关这一点的信息。

此外,我收到的大量芯片还有许多数据闪存位置未设置为技术参考手册中列出的默认值?  手册中的默认值是工厂应设置的值,还是指其他值?

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    你好,Zack,

    您是否能够使用 bq 评估软件写入数据闪存?

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    我无法访问 EV2300以连接 bq 评估软件,但我正在使用它作为参考

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    你好,Zack,

    检查 bq3055是否未密封。 如果是新部件,则默认情况下它是未密封的。 数据闪存中指定了一个阈值。 如果电池电压低于阈值,则无法写入数据闪存。 它有助于了解 bq Evaluation 软件是否可以编写它,因为您可以判断问题是电池电压和其他外部项目,还是命令可能不正确。 如果您要查找 EV2300,可能需要查看 MKST-3P-ALT-EV2300 ,因为 EV2300已过时。

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    我不小心碰到了这一问题,解决了我的问题。  我检查了我的几台设备上的闪存编程的单元电压阈值,它们都是用0xFFFF 进行编程的,因此所有设备上的最小编程电压似乎都被设置为65V。

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    你好,Zack,

    如果所有值都为0xFFFF,则设备将无法正常工作。 您的通信设置可能存在其他一些问题。