[参考译文] LM5175：将 LMG5200 Gan FET 与集成式栅极驱动器一起使用

约瑟夫，你好。

让我对此进行调查，并回到下周中旬。

此致，

 斯特凡

约瑟夫，你好。

是否有特殊要求需要使用此解决方案。 使用具有4个 FET 的方法会更容易。

对于您的应用案例，另一种解决方案可能适用，请参阅参考设计(此处已根据您的基本要求过滤)：

TI 参考设计库(已过滤)

此致，

 斯特凡

斯特凡

我们的目标是使用500kHz 的 Gan FET 来评估4开关降压升压拓扑的性能，LM5175似乎不适合驱动 LMG5200，因为我们需要数字信号来驱动带内置门驱动器的 Gan，而 LM5175具有浮动高侧驱动器。  

我们正在考虑使用隔离的5V 电源将 LMG5200的引导线保持在阈值以上，作为一种变通办法(因为高压端是100%降压或升压情况)

您是否知道能够控制4开关降压增压的任何其它 TI 部件？ 我已经使用 LM34936进行了测试，并且具有与 LM5175类似的功能。  我知道有一些数字控制器，但我不知道它们的编程有多复杂。

谢谢，

约瑟夫

感谢 Stefan，我想我们将尝试使用隔离直流-直流电源在100%工作周期内为高侧引导电容器充电。