[参考译文] 在具有6kV 或8kV 空气放电的静电测试中，撞击 B0或 B15芯片将停止工作，MCU 重置再次正常。

Gabriel 你好，

请提供更多详细信息。  此设计中使用的是什么处理器 IC？

谢谢你，

~Leonard   

亲爱的列昂纳德

处理器是 GD M3系列。

具体流程如下：使用静电测试设备8kv 空气放电，装置采样接口和 NTC 采样接口进行空气放电测试，油芯片故障，采样数据异常，通信停止，MCU 重置后 MCU 恢复正常。

整个操作可以重复。 4kV 下没有发生这种情况。 此时将显示+6kv 和+8kv。

谢谢加布里埃尔

我不熟悉 GD 处理器，请提供完整的 TI 部件号。

~Leonard  

此外，为了澄清，您是否正在寻找保护设备，或者寻找一种处理器处理此 ESD 事件的方法？  

~Leonard   

亲爱的列昂纳德

抱歉，部件是 BQ76944003。

加布里埃尔：

电池管理电路中 ESD 设计的常见参考是 www.ti.com/lit/slua368 ，尽管它是为 BQ20zxx 系列准备的，但原理是相同的，请保持敏感电子元件远离 ESD 电流。 您希望将 ESD 电流穿过包装端子，从通信线路到 包装端子，从包装端子到电池。  从电池到电子设备，您需要在到达引脚之前，任何瞬态电流都能到达滤波器电容器。  ESD 性能将取决于布局和原理图。   同时检查电容器的频率响应。  陶瓷电容器通常具有良好的频率响应。  BQ76940通常需要一个较大的 CF 滤波器电容器值，有时这些电容器的高频响应较差，并且一个并行的小电容器可能会比较大的值更好地分流 ESD 能量。