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部件号：BQ24780S “线程：测试”中讨论的其它部件
你(们)好
根据数据表，有一节讨论 ACFET，
'要在 ACFET 接通期间限制适配器浪涌电流，必须 按照指南小心选择 ACFET 的 CGS 和 CGD 外部电容器，
有一条特定的规则，即 CGS 应×或高于 CGD，以避免在适配器热插拔期间 ACFET 错误打开”
有一个问题需要澄清，
基于 TI EVM 原理图，CDG 为1nF，CGD 为0.47uF。
但是，所有 MOSFET 都有自电容器(CISS，Corr. CRSS)，如果我的 MOSFET 解决方案的特性 CGD 更大，而外部 CGD 的容量容差更大。
在这种情况下，1nf 可能增加到2nf，因此 CGD / CGS 的比率将低于40X。
如果我们卸载 C12并将 C13保持在47nF 上以避免第二个源容差过大 ，并考虑 MOSFET CGD 本身的比率，该怎么办。
未安装的 C12是否会与设计不协调？ (我们将确保峰值电流也能满足 MOSFET 本身的 SOA 区域。)
谢谢你。
文斯
