• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 3 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 1228 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ78350-R1：bq78350中的 CEDV 参数

admin
Guru**** 2540720 points
Other Parts Discussed in Thread: GPCCEDV, BQ78350, BQSTUDIO

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1068812/bq78350-r1-the-cedv-parameter-in-bq78350

部件号：BQ78350-R1
“线程”中讨论的其他部件：GPCCEDV， BQ78350， BQSTUDIO

大家好，团队

客户提出的问题可能需要您的帮助：

 重新 prort of GPCCEDV 文件中的描述如下：

拟合产生的 CEDV 参数。 如果将 EDVV 位设置为1，则在写入数据闪存时，EMF 和 EDVR0必须乘以串行单元数。
电动势3517.
EDVC0 623
EDVC1 0
EDVR1 89
EDVR0 1375
EDVT0 5229
EDVTC 11.

1.关于 EDVV 位， 在电池管理工作室(bqstudio)中找不到该位。BQStudio 软件中引用了哪个状态位？ 在 bq78350文件中也找不到。

此外，“在写入数据闪存时，EMF 和 EDVR0必须乘以串行单元数”，剂量这意味 着当前报告也将被转换？ (此报告当前为2个字符串，包含1个数据)。 如果他们想要更改为6字符串2，以下参数是否正确？

EMF 10551 (3517/2*6=1051)     
EDVC0 623
EDVC1 0
EDVR1 89
EDVR0 4125 (1375*6/2=4125)
EDVT0 5229
EDVTC 11.

请帮您检查此案例？ 谢谢。

此致，

樱桃

  • 0
    TI__Guru**** 2540720 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Cherry，

    EVV 位不适用于 BQ78350。 它用于其他一些仪表设备。 BQ78350无需将 EMF 和 EDVR0相乘。

    此致，

    马特

  • 0
    TI__Guru**** 2540720 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Matt，

    [引用 userid="54672" url="~/support/power -management-group/power -management/f/power -management-forume/1068812/bq78350-R1-the -cedv-parameter-In -bq78350/3955366#3955366"]不必将 B78350/BEMF 和 EDVR0相乘以。]

    填充数据后，BQ78350是否会自动补偿转换？

    以下是应用数据提供的调整方法：

    相同的单元格 CEDV 参数并行应用于不同的字符串。 当同一单元格的 CEDV 就绪时，只需小幅调整，它就可以应用于不同单元格字符串的电池组合。 通过消除对不同电池组合重新并行运行 CEDV 参数采集过程的需要，为电池开发用户节省了开发时间。

    七个 CEDV 参数通过以下方式进行调整：

    (1).EMF，与字符串数成比例，例如单单元 EMF = 4000 mV，EMF = 12000 mV (对于3字符串3单元)，EMF = 16000 mV (对于4字符串2单元)。

    (2).EDVR0，调整方式与电阻器的字符串并联等效，例如，单单元格 R0=4000，3字符串3的 R0=4000 * 3/3=4000，4字符串2单元的 R0=4000 * 4/2=8000。 如果单元连接阻抗较大，建议将连接阻抗乘以4到 R0。

    (3)。 其余参数 EDVC0，EDVC1，EDVR1，EDVT0，EDVTC 不需要修改。

    谢谢，致以诚挚的问候，

    樱桃

  • 0
    TI__Guru**** 2540720 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Cherry，

    BQ78350知道系列中的单元格数(来自 AFE 单元格图数据闪存参数)。 因此，无需根据系列中的单元数调整系数，因为 BQ78350固件已经考虑了这一点。  

    如果并行添加单元格，唯一需要调整的参数是 EDVR0。 R0应除以并行单元的总数(如果为 GPCCEDV 工具收集的数据来自只有一个并行单元的电池)。

    此致，

    马特