• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 674 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC24612：SR MOSFET 关闭期间存在喷针扭伤风险

admin
Guru**** 2386610 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1067993/ucc24612-risk-of-shot-torugh-during-sr-mosfet-turning-off

部件号：UCC24612
“线程：测试”中讨论的其它部件

大家好，团队

我的客户使用 UCC24612-2在 PFC 电路中进行 SR MOSFET 控制，他发现 CCM 下有一段很短的 VGS 超支期，如下图所示。

这是否会对高/低侧 MOSFET 造成直通风险？  在 SR FET 关闭和主 MOSFET 打开之间增加一些死机时间是否有问题？  

CH1：PFC 主 MOSFET VGS

CH2：SR MOSFET VGS

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨，查尔斯：

    请分享示意图并提供 VG，VDS 和 IDS 波形(如图1所示)？

    此致，

    韦斯利

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨，查尔斯：

    图1和图2的测试条件是什么，因为 DRV 不同？ 它可能需要放大更多以检查每个 MOSFET 的 Miller 平稳水平。  

    此致，

    韦斯利

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好，韦斯利

    请参阅下面的波形，谢谢。

    CH1：SR VGS；CH2：SR VDS；CH3：主要 MOS VGS；CH4：SR ID

    此致，

    查尔斯

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨，查尔斯：

    VDS 电压为100V。 我认为这是一种动力，而不是 PFC。 我是对的吗？

    在 CCM 同步增压拓扑中，需要先打开低压端 MOSFET，然后更改高压端 VDS 极性。 因此，浇口必须在短时间内重叠。  根据您所分享的波形，IDS 不显示直通现象，波形正常。 但是，VG 的持续时间在这里并不稳定。 这意味着虚拟磁盘有噪音可以提前关闭 VG。 它可能会导致更高的传导损耗。 它可以通过布局来改进，以通过杂散电感来减少影响。  

    客户用作高/低侧的 MOSFET 是什么？  为了减少高端 MOSFET 的放电路径的 RG 和增加低端 MOSFET 的充电路径 RG，这是一种使这种情况更安全的方法。

    此致，  

    韦斯利