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[参考译文] LM5143-Q1:LM5143的设计问题

Guru**** 664280 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5143, LM5143-Q1, CSD18563Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1071190/lm5143-q1-design-issue-for-lm5143

部件号:LM5143-Q1
“线程”中讨论的其它部件:LM5143,TESTCSD18563Q5A

您好,

DCDC LM5143用于主电源。

参考设计基于“8.3.17.2单输出交错操作”数据表,该数据表的规格如下:

1)输入电压为48V;

2)输出电压可调,最大42V,使用 电位计调节电压;

3)输出 恒定电流25A;

4)我们使用200kHz 频率,并将 LO1和 LO2从0.68uH 修改为10uH;

4) MOSFET 为 Infineon BSC123N08NS3G (80V,12.3mohm,5*6封装);

现在,我们的设计有以下问题:

1)高侧 MOSFET 在通电时随负载断开;

2) 将 电位计从0V 调整到42V 时,高侧向 MOSFET 无负载断开;

请参考示意图并分享您的意见,谢谢。

 

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    您好,张

    MOSFET 不适合,因为其 Miller 平台太高(它不是一个 Lgic 级 FET,RDSon 额定 Vgs =4.5V,因此适合5V 栅极驱动)

    请注意,来自浇口充电曲线的 Miller 高原为5V,因此没有具有5V 浇口驱动振幅的过载。

    请为此设计发送一个完整的快速启动计算器,以便我进一步了解。

    此致,

    蒂姆

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    只看原理图——您是否需要高价值的电解盖? 考虑到 Vout 要求较高,这种情况似乎过于严重,这使得补偿很困难,并且需要大量电流才能在启动过程中提高输出电压。

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    您好,

    我们的 MOSFET  BSC123N08NS3G Vgs=10V 与参考设计(Infineon IPC50N04S5L-5R5)相同,因此请告知我们为什么需要将 Vgs 修改为4.5V 逻辑门驱动器,谢谢。

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    您好,张

    此 MOSFET 与 EVM 中的40V 器件完全不同。 更具体地说,RDSon 的额定功率不是 Vgs =4.5V。 这是必需的,因为 LM5143-Q1的栅极驱动振幅仅为5V。

    此致,

    蒂姆

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    您好,Timothy,

    谢谢,我认为您的意思是我们需要为此设计选择逻辑电平 MOSFET。

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    是的,正确。

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    大家好,Timothy,

    感谢您 的专业交流,我们将选择逻辑电平固位器件再次测试。

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    好的,谢谢。 只需确保在 MOSFET 数据表中 RDSon 的额定值为 Vgs = 4.5V。 MIIller 高原(浇口荷(Qg)曲线中的平线)应小于~3.5V。

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    您好,

    我们考虑将 MOSFET NCEP0140AG 用于高/低侧开关,请帮助检查是否可用,谢谢。

    NCEP0140AG 的数据表,用于您的评估:

    e2e.ti.com/.../NCEP0140AG.pdf

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    张晓

    这是具有高 RDSon 和 HIH Qrr 的100V FET。 如果 VIN-max 为48V,则可以使用60V FET。 这将降低功率损耗。 了解 TI 的 NexFET 60V FET 产品组合。 在分区中,您可以在以下位置使用 NexFET 计算器工具: https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC,例如,CSD18563Q5A 是一种良好的通用60V FET。

    此外,我建议您使用 LM5143快速启动计算器进行设计,以检查损耗情况,如 https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CALC

    此致,

    蒂姆