[参考译文] LMG1205：使用低压侧分流电流感应时如何连接 LMG1205/LM5113上的 GND/VSS？ ||可靠性的提高？

您好，帕特里克，

感谢您的提问。 请参阅下面我的输入内容。

• 芯片的 VSS 应该连接到 GND 电位，还是连接到分流电位，如最小示例所示？ 分流器的电压应最大值<=100mV。 -->请参阅 LMG1025-Q1器件数据表(https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lmg1025-q1.pdf)的第11和12页 ，其中解释了这两种方法，并提供 了使用分流电阻器时处理接地回跳的推荐电路示例。  

• 如果驾驶员未通电，R5和 R6是否是一个好主意？ 100公斤的热量是可以的吗？ -->您可以为这些选项添加占位符，并仅在需要时填充它们。 我们通常会看到客户使用10千欧来实现这一目标。

• R4和 D4是否是保护芯片免受峰值影响的好主意？  -->从 HS 引脚到驱动器 VSS 引脚的齐纳二极管可以帮助您限制 HS 引脚所看到的最大电压，以便在峰值过高时保持在设备的建议最大电压范围内。 我看不出 HS 的电阻器经常使用，而是一个小电阻器(例如 2欧姆)将有助于降低交换节点的转换率和噪音。  
  • 如果是，电阻器的良好值是多少？ 10欧姆？  
  • 如果是，D4应该向 GND 或更好地向 VSS (分流)电位扩散？  

• 我应该添加一个与 C2平行的齐纳二极管，以防止过度喷出？  -->正确的做法是，HB 销和 HS 销之间的齐纳二极管有助于防止 HB-HS 过压。

您好，帕特里克，

感谢您提供详细信息。 关于 HS 引脚上的电阻器，尽管我们已经看到客户使用此电阻器来降低 HS 转换率，但有这样的风险，因为电阻器上可能会产生电压，从而导致高端 FET 栅极和 HS 引脚的电势不同， 这会导致 FET 出现不必要的行为。

此致，

莱斯利