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[参考译文] LM5069：LM5069MM-2/NOPB

admin
Guru**** 2536160 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5069

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1073374/lm5069-lm5069mm-2-nopb

部件号：LM5069

这些要求如下：

  • 最大输入电压= 30V
  • 最小输入电压= 10V
  • 最大负载电流= 10A
  • 额定负载电压= 24VDC

我希望 LM5069 的 OVL 为30V，UVL 为10V。  

我希望 LM5069以恒定电流模式运行，故障响应以重试模式运行。

  1. 如何估算 最大输出负载电容：CLOAD
  2.  确保 VSN > 5mV (PLIM，最小值)的最小功率限制 与 目标功率限制之间有何区别？
  3. 目标功率限制是否超过负载的最大功率消耗？
  4. 目前是否有符合电路要求的 TI N-MOSFET 库存？
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    TI__Guru**** 2536160 points
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    乔纳森您好，

    欢迎来到 E2E，感谢您对 LM5069的关注！！！ 我将在星期一回到你的位置。

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    TI__Guru**** 2536160 points
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    乔纳森您好，

    我建议您使用设计计算器开始 LM5069设计活动。 设计计算器可在 www.ti.com/.../snvr506上找到。
    此设计计算器将推荐合适的 TI MOSFET。 然后需要验证该特定 MOSFET 的供电情况。


    请按查询顺序查看答案。
    1) CLOAD 基于系统中的下游负载。 它是在下游负载(如直流-直流转换器等)连接的所有输入电容器的总和
    2)请 参阅此应用说明 。https://www.ti.com/lit/an/slva673a/slva673a.pdf ，如果有任何疑问，请告知我们。  
    3)否，此目标功率限制与负载所消耗的功率无关。 这是 MOSFET 在启动和故障事件(VDS x IDS)期间的功率损耗。
    4)如上所述，设计计算器将为您的设计建议合适的 TI MOSFET。

    请分享填充的设计计算器以供我们审核。

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    TI__Guru**** 2536160 points
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    如何估算目标功率极限？

    PLIM = I_LOAD，最大 X Vin，最大值吗？

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    TI__Guru**** 2536160 points
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    你好，乔纳森，

    目标功率限制应大于“确保 VSN > 5mV (PLIM，min)”的最小功率限制。 请参阅 数据表中的第9.2.1.2.3节“选择功率极限”。  

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    TI__Guru**** 2536160 points
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    e2e.ti.com/.../LM5069.xlsx

    我已上传 LM5069计算。 我的输入电源范围为10V-30V。 我的 OVL：30V 和 UVL：12V。
    最大负载电流：8A  
    我选择了 Vishay SiJ186DP，因为库存中没有合适的 TI MOSFET。  

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    TI__Guru**** 2536160 points
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    计算是否正确

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    TI__Guru**** 2536160 points
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    您好，金纳坦

    我对设计计算器有两个观察结果。  

    1. 我是否可以知道选择最小电流限制为19.4 A 以获得最大负载电流8 A 的原因？  最小电流限制应是 最大负载电流的1.1倍。  
    2.  Vishay SiJ186DP 可以支持以下输出电容器的最大值。
      1. 1800 μF：“ 热”板是否可以热插拔？ ：不
      2. 1400 μF： “ 热”板是否可以热插拔？ ： 是的

    请参阅随附的修改 后的设计计算器，并告诉我是否有任何疑问。  

    e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_Jonathan-Pereira.xlsx

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    TI__Guru**** 2536160 points
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    • 因此，对于修改后的设计计算器，电路的标称输出为24V x 8A = 192W？
    • 在这种情况下，Rsns 的功率是多少？
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    TI__Guru**** 2536160 points
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    我已为 D1，D2，Q1，Q2和 Z1添加了替换组件。 请告诉我这些信息是否适合我的电路 specifications.e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_v2.xlsx

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    TI__Guru**** 2536160 points
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    乔纳森您好，  

    电路将能够 处理24V x 8A = 192W 的标称输出。

    RSNS 的额定功率应大于2 W。 可以使用 CSS2H-3920K-5L00F 或等效产品。   

    D1，D2，Q1，Q2和 Z1 适合您的应用。

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    TI__Guru**** 2536160 points
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    CSS2H-3920K-5L00F 为2毫欧姆。 经过修改的设计计算器将 Rsns 设为5mOhm？ 任何其他5mOhm >2W 电阻器是否工作？ 例如 ：CRE2512-FZ-R005E-3

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    CSS2H-3920K-5L00F 为5 mΩ。

    任何其他5 mΩ>2W，<1%感应电阻器都将工作。  CRE2512-FZ-R005E-3也很好。

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    更新-最大负载电流已更改为12A。 我已将 LM5069计算器与更新后的值连接在一起。 您能否验证它是否符合电路规格。  e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_v3.xlsx

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    乔纳森您好，

    12 A 设计需要两(2)个 MOSFET，以限制100 °C 内的最大稳态 MOSFET 接线温度 请参阅随附的设计计算器。 您的设计计算器中有几个单元格发生了变化。 我已经附加了新的一个。  

    e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_Jonathan-Pereira_5F00_12A_5F00_2_5F00_MOSFETs.xlsx

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    更新后的计算器中使用的 MOSFET 没有库存。 你有其他选择吗？

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    MOSFET 与您之前选择 的相同，即 Vishay SiJ186DP。 我没有改变任何东西。  

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    Vishay SiJ186DP，所以我 需要两个平行的 Vishay SiJ186DP？ Gate1->Gate2，Source1->Source2，可排1 ->可排2

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    是的，请在您的示意图准备就绪时分享以供审核。  

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    我 同时添加了两个 Vishay SiJ186DP

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    感谢大家分享这一示意图。 我会回顾并返回给你。  

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    请参阅经编辑的示意图，如果有任何问题，请告诉我。