[参考译文] UCC21750-Q1：ISO5852SQDWRQ1

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部件号：UCC21750-Q1

对浇口驱动体下的铜的反应非常有趣。我有一个与使用到247-4封装的 SiCMOS 设备相关的问题—请参见图。空间限制和液体冷却散热器的方向，加上将电源环路电感和栅极环路电感保持在最低水平的目标，表明组件的放置位置如图所示。 SiCMOS 开发的磁场对栅极驱动器有什么影响？谢谢，梅尔里尔

0 admin 4 年多前

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[引用 userid="164570" url="~ë/support/power 管理-group/power 管理/f/power 管理-forume/1074229/ucc21750-Q1-iso5852sqwrq1]SiCMOS 开发的磁场对栅极驱动器有什么影响？ [/引用]

巴塞，很高兴再次听到你的声音。

这种效果很难预测。它在很大程度上取决于磁场的方向和放大程度，并且高度依赖于电流和位置的方向。
高 EMI 将导致所有驱动器(无论 mfr 如何)在某个时间点表现异常，但由于许多相关因素，阈值不可能进行量化。

我认为 TO247-4不是要扩展，所以它不会延伸到冷面。

如果您使用的是这样的情况，我们建议将一个放射源/GND2铜平面放置在 sicfet 体和驱动器芯底面之间的一个内层上。

如果您对此有任何疑问，请告诉我。

最佳

迪米特里

电源管理（参考译文帖）(Read Only)