[参考译文] TPS65216：查询 EEPROM 编程规格

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Other Parts Discussed in Thread: TPS65216, TPS65218D0

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

部件号：TPS65216
“线程”中讨论的其它部件： TPS65218D0

您好，

我们已被要求在我们的编程工具上实施 TPS65216 EEPROM 编程。我们需要一个描述 EEPROM 编程协议的规范。请向我提供此类文档。

此致，

弗兰蒂塞克

0 admin 4 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好，弗兰蒂塞克，

感谢您使用 E2E！ TPS65216与 TPS65218D0引脚对引脚兼容，可遵循相同的程序对 EEPROM 进行编程。下面我列出了一般编程步骤，如果您在编程过程中遇到任何问题，或者您对所提供的信息有任何疑问，请告诉我，我很乐意为您提供帮助。

如果要修改的寄存器不受密码保护，您只需在寄存器映射中标识寄存器地址(数据表中的“5.5.3 TPS65216寄存器”一节)，并通过 I2C 更改特定的 EEPROM 位。请注意，这只会更改易失性寄存器。如果要将这些更改设置为新的加电默认值，则需要将以下序列写入密码寄存器(地址0x10)： 0x50，0x1A，0xCE (必须连续写入，这三个字节之间没有其他 I2C 命令。

如果要修改的寄存器 受密码保护，则必须按照数据表中“5.5.1密码保护”一节中的步骤操作。例如，如果需要更改 SEQ7寄存器(地址0x26)，则必须执行以下 I2C 命令：

将目标寄存器的地址(XORed 带有保护密码(0x7D))写入密码寄存器(0x10)。 这意味着将5B (0x26 XOR 7D)写入地址0x10。
将数据写入密码保护寄存器。 这意味着写入0x0F 以注册0x26。
通过将 I2C 命令连续写入密码寄存器，将新的寄存器设置保存到 EEPROM 中。 这将转换为写入0x50，0x1A，0xCE (按此顺序)以注册0x10。

其他注意事项：

并非所有 EEPROM 位都可以重新编程。只有寄存器字段描述表中“类型”列下的“E2”位才能使用新的加电默认值重新编程。只有“R/W”的 EEPROM 位可以在易失性寄存器中更改，但无法在实际 EEPROM 存储器中重新编程加电默认值。
有一些特定寄存器需要一个附加步骤，这些步骤将在寄存器位描述表的顶部记录。例如，要对寄存器 DCDC1 (地址0x16)进行更改，寄存器0x1A 中的 GO 位(或 GODSL 位)必须设置为1b。这可以在编写三个连续的 I2C 命令以将新的寄存器设置保存到 EEPROM 之前完成。
有关如何对 TPS65216进行编程的信息已在以前的 E2E 帖子中提供，以下是指向其中一个帖子的链接，供您参考： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/960049/tps65216-porting-question-about-ti-tps65216

谢谢，

Brenda

电源管理（参考译文帖）(Read Only)