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[参考译文] UCC21710：ゲート电流とゲート抵抗 Ω

admin
Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21710, UCC5870-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1075301/ucc21710

部件号：UCC21710
“线程：UCC5870-Q1”中讨论的其它部件

ゲート抵抗は、１０A以下になるように设定する必要があるとのことですが、外付け抵抗のばらつき、パワートランジスタの内蔵ゲート抵抗のばらつきなどを考虑して设计するとかなりのマージンを取る必要があります。この１０Aという値は、最大绝対定格的な扱い（少しも越えてはいけない）をしないといけないのでしょうか。あるいは、１０AでIC侧の保护が働くことを前提にゲート抵抗の値を决めてもいいのでしょうか（この场合は、抵抗のばらつきにより実际は１０Aを超えるゲート抵抗値になるかもしれません。中央値で１０Aとなるゲート抵抗値とする）

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    约吉-桑

    我们的团队以美国为基地，不能以日语回应。 如果需要，您的帐户中已分配了 TI 工程师，请他们联系我们进行进一步讨论。  

    数据表中的10A 额定电流不是“绝对最大”额定值，这被列为“典型”规格。  

    在操作过程中，峰值电流可能高于10A。 从本质上讲，栅极驱动电路的峰值不是很长，因为栅极电容器的电荷很快。  

    如果您使用典型电阻规格为10A 峰值驱动电流调整栅电阻器的尺寸，这将是正常的。

    请注意，这种情况下的主要考虑因素是在操作过程中的功率消耗和设备连接温度。  

    如果您正在增强驱动电流功能，您将需要确保 Tj 在系统的最高预期环境温度下不超过150摄氏度。  

    栅极驱动器的功耗与 Qg (FET/IGBT 栅极充电)和开关频率成正比，因此我建议在您的最大预期频率和环境温度下验证器件温度。  

    功耗估算方法位于 数据表第39页

    普托*RjthA+Ta < 150C。 我建议在最坏的情况下至少留出10度的净空空间。  

    如果您还有其他问题，请告诉我。 如果这完全回答了您的问题，请按绿色按钮让我知道。  

    最佳

    迪米特里

  • 0
    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    迪米特里-桑

    非常感谢。

    我想确认。

    我可以使用典型的残值设计浇口杯。 但我应该注意 Tj<150C。

    这是否正常？

    但如果无源，请 告诉我栅驱动电流的最大数量，栅驱动器 IC 允许的栅驱动电流。  

    因此，我可以检查峰值电流，包括小于该值的残留值分散。   

    很抱歉 给我使用日语带来不便。

    我不明白，因为 Windows Edge 会自动翻译。

    我已经联系了日本 TI 工程师，并得到了一些答案。但这一“闸流事件”，他没有答案。

    所以他建议在这个网站上提问。  

    谢谢！  

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    约吉-桑

    [引用 userid="512568" url="~ë/support/power -management-group/power -management/f/power -management-forume/1075301/ucc21710/3980787#3980787"]

    我可以使用典型的残值设计浇口杯。 但我应该注意 Tj<150C。

    这是否正常？

    [/引用]

    这不应该是问题，您不需要考虑电阻容差，因为它小于5%，不会导致问题。

    [引用 userid="512568" url="~/support/power -management-group/power -management/f/power -management-forume/1075301/ucc21710/3980787#3980787a">但如果无源，请 告诉我栅极驱动器允许的最大栅驱动电流数。  [/引用]

    驱动器在技术上能够获得高于额定峰值电流的电流(取决于 VDD-V 电平)，但我建议将您的峰值栅电流限制为10A，因为这是驱动器额定值。 除非您的 FET/IGBT 具有相当大的栅电荷(例如 Qg>>1500nC)，否则这应该是足够的。

    我们的驱动器具有30A 驱动电流额定值(UCC5870-Q1)，但该驱动器的性能要高得多，实际上它内置了 SPI 通信，因此实施起来更加复杂。

    如果您需要的电流高于10A，或者您发现自己正处于热限制之中，我们建议您使用双极晶体管来查看推挽缓冲器，在这种缓冲器中，功耗将转移到具有较大散热垫的大型离散晶体管，从而可以保持高功率耗散。

    请注意，对于峰值电流估计，您还必须考虑 IGBT / FET 器件的内部栅极电阻，通常大约为1欧姆，这本身实际上限制了峰值电流。

    如果您已经选择了 IGBT / FET，我们提供了一个小型计算器工具，可帮助您估算驱动器功率消耗，接线温度以及峰值驱动电流。 该工具还可以帮助设计短路保护电路。

    链接如下：

    https://www.ti.com/lit/zip/sluc695

    [引用 userid="512568" url="~/support/power -management-group/power -management/f/power -management-forume/1075301/ucc21710/3980787#3980787"] 我使用日语带来的不便。

    没问题！

    如果您还有其他问题，请告诉我。

    最佳

    迪米特里