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[参考译文] BQ34110：VEN -为什么不是单个 NMOS？

admin
Guru**** 2609895 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1078684/bq34110-ven---why-not-single-nmos

部件号：BQ34110

您好，

可能是愚蠢的问题，但无论如何：为什么不在两个电阻 器和接地之间使用单低侧 NMOS，而是使用支持高侧 PMOS 进行电压测量的 NMOS？

两者都有一些接通电阻，这两种电阻都接近零，因此与我们的测量无关。 我很困惑... :-)

感谢您的帮助和诚挚问候，

安德烈

  • 0
    TI__Guru**** 2609895 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Andrej，

    我不确定使用两个 NFET 的确切原因，如果您能找到一个具有适当阈值电压的 PFET 来启用分频器网络，则使用该网络不会有问题。

    顺祝商祺！

    威瓦特·凯勒