[参考译文] TPS25221：TPS25221控制输出电流的问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1077611/tps25221-the-question-for-tps25221-for-control-output-current

部件号：TPS25221

我读取了 TPS25221的一些数据，如图所示，我看到了
当输出电流达到电流限制阈值时，IOS 在过电流或短路时的功能，
它将降低驱动 N 通道 MOSFET 的充电泵电压，并在饱和区域操作它”，

我不明白为什么它能让 IOS 保持最新状态？

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2387060 points

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你好，詹姆斯，

如数据表所述，它在饱和区域运行，这意味着高传导阻能限制电流并导致 VBUS 下降。根本原因是浇口盖排放到一定水平。

如果您有任何其他问题，请随时与我联系。

如果您认为问题已解决，请单击“问题已解决”按钮。

谢谢。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2387060 points

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因此，无论当前>IOS 或当前<IOS ，MOSFET 始终处于饱和区域，对吗？
但当电流>IOS 时，栅盖电压将下降，原因 ID 电流将保持在 IOS。

我的结论是，我是对的吗？

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2387060 points

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对于第一行，即>IOS，在饱和区域工作。作为<IOS，在可变电阻器区域工作。

对其他人来说，这是正确的。

如果您有任何其他问题，请随时与我联系。

如果您认为问题已解决，请单击“问题已解决”按钮。

谢谢。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2387060 points

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感谢您的回复，我可以理解您是否选择了>IOS，N-Mos 将在饱和区域工作，并通过调整 Vgs 的电压来保持 IOS 的电流。
但当当前<IOS 处于正常运行状态时，Vout 将使 Vout 几乎等于 Vin 对吗？这是否意味着 N-Mos 将被用作开关设备？如果是，为什么 Mos 位于电阻器区域而不是饱和区域。