大家好,团队
我们的客户希望了解 LMS1585AIS-3.3/NOPB 在0.1A 和0.4A 负载下的压降电压。 数据表提供典型的3A 输出电压,但我们的客户需要0.1A 和0.4A 的此类信息。 我们有这些信息吗?
此致,
丹尼洛
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大家好,团队
我们的客户希望了解 LMS1585AIS-3.3/NOPB 在0.1A 和0.4A 负载下的压降电压。 数据表提供典型的3A 输出电压,但我们的客户需要0.1A 和0.4A 的此类信息。 我们有这些信息吗?
此致,
丹尼洛
你好,达尼洛,
这是一个相对较旧的设备,我们没有 数据表中提供的任何数据。 该器件具有 NPN BJT 晶体管作为其传递元件,与具有 MOSFET 传递元件的器件不同,压降电压不会与负载电流线性扩展。 为了 使晶体管保持在正向活动区域,VIN - VOUT 的差值必须至少为一个 VBE (~0.8V)+一个 VCE (至少为0.3V)。 因此,辍学 率通常至少需要1.1V。 对于本设备,压降似乎与负载电流(1.3V@3A 和1.4V@4A)没有太大的变化。 典型值的差值更小(50mV)。 因此,对于0.1A 和0.4A 负载电流,我建议在您的应用中提供1.3V 的压降(VDO 的1.15V 可能足以满足多种应用)。 谢谢!
此致,
斯里坎特