[FAQ] [参考译文] [FAQ] TPS2595：如何确保 SOA 中的 eFuse 内部 FET 操作？

                                 eFuse 中的内置热保护电路可确保在 SOA 中 FET 工作

• eFuse 器件的内部 FET 在启动进入电容负载，限制过电流，启动进入输出短路等条件下受到压力。 在压力条件下，内部 FET 的压力不应超过 FET 的 SOA 限制，以避免对 FET 造成任何损坏，这一点很重要
  
  
• TI 的 eFuse 中实施了温度过高保护(TSD)方案，以确保 FET 的压力不超过其 SOA 限制。 在压力较大的事件中，整个 FET 会断电，从而增加 eFuse 的接线温度。 当交叉路口超过热关闭阈值以保护 FET 时，eFuse 将关闭。 例如，TPS2595的热关机阈值为157ᵒC Ω。

• 下图显示了超温保护方案在‘Wake Up with Output Short to GND’(输出对地短路唤醒)状态下关闭 IC 以保护 FET。

            唤醒输出对地短路

• 对于相同的功耗，较高的环境温度会更快地关闭 FET。 如下图所示，对于在85C 时关闭 T2的10W 功率时间，与在25C 时关闭 T1的功率时间相比，该功率时间更短。

               热关机时间与电源耗散

• 为了验证我们在最坏情况下启动时的热保护方案的稳健性，我们将在一百万次的时间内执行快速唤醒测试。

• 只要设备在建议的工作条件下运行，我们的所有 eFuse 设备都可以在故障条件下保护内部 FET。 在 UL 2367评估过程中，还会测试电子保险丝设备在过载可能会对 FET 造成压力的情况下的耐用性。 有关 eFuse 安全认证的更多信息，请参阅此链接 ：www.ti.com/.../slvaeo5.pdf