[参考译文] LM5175：无论增压，降压和降压-升压模式如何，LM5175都能支持预偏置启动吗？

你好，Kazuya - San，

我将尝试获得您问题的答案，但可能需要2-3天。

此致，

 斯特凡

斯特凡，你好，

非常感谢您的回复。
我期待收到你的答复。

再次感谢，致以诚挚的问候，

卡祖亚。

你好，Kazuya - San，

我删除了我的上一个帖子，因为这是在错误的线程内。

为此，我仍然需要更多的时间。

此致，

 斯特凡

斯特凡，你好，

我明白了。 我 期待收到您的更新。

非常感谢，致以诚挚的问候，

卡祖亚。

你好，Kazuya - San，

很抱歉耽误你的时间。  以下是您问题的答案(按相同顺序)

答1. 是的，它支持启动期间的输出预偏压条件。  请参阅数据表第18页(此处我复制并粘贴以下内容以方便您使用)

解答2. 是的 VIN 针脚可以绑定到不同的电压轨上。 它基本上是内部 VCC 稳压器的输入。  VISNS 和 QH 必须连接到实际输入电源轨。  

答3. 很抱歉，我们没有数据来说明驱动器峰值电流的确切变化。  但是，我们通常会在数据表中提供典型的驱动器峰值电流。  在室温下，通过驱动大约1nF 的纯电容负载，实际驱动电流通常比我们的台式测试中的典型值大。 我们可以假设驱动器峰值电流变化从-20%到+50%。

A4。  对不起，IRHDRRV1，2是什么意思？  

此致，

您好

你好，Youhao，

非常感谢您的回复。

很抱歉，我的第四个问题是错误的。
我的问题如下：

问题4。  是否有 NMOS 驱动程序的 RHDRV1，2和 RLDRV1的最小值和最大值数据？  
    或者是否有与 典型值不同的 RHDRV1，2和 RLDRV1的任何数据？  
    如果您没有数据， 我们应该假设有多大的可变性？

请告诉我你的答复。

再次感谢，致以诚挚的问候，

卡祖亚。

你好，Kazuya - San，

没问题，我也经常有打字错误：-)  

很抱歉，我们没有驱动器内部阻抗的最小和最大规格值，但您可能知道驱动器由图腾柱结构中的 PFET 和 N-FET 组成。  因此，RHDRV1，2和 RLDRV1基本上是 MOSFET 通道电阻，在 Tj=-40C 时大约为0.8倍，在 Tj=150C 时大约为2倍。 另请注意以下事项：

• 如数据表 EC 表所示，RHDRV1，2和 RLDRV1，2驱动器获取电流的时间越长(即外部 MOSFET 的接通时间)，吸入电流时的电流越小(即处于外部 MOSFET 的关闭状态)
• RHDRV1，2和 RLDRV1，2值不能直接确定驱动器峰值电流，因为驱动电路在外部 MOSFET 的接通和关闭过程中也会通过内部驱动器 MOSFET 的线性范围。 因此，实际峰值电流不像 VCC / RLDRV1，2或(VBOOT - VSW)/ RHDRV1，2那么简单。   
• 对于估计值，我们可以假设 RHDRV1，2和 RLDRV1，2 可能与典型值相差不超过+/-20%。

希望这些澄清。

此致，

您好