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[参考译文] LM5050-2：与12V 系统上的 TPS2412的差值

admin
Guru**** 1118110 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5050-2, TPS2412, LM5050-1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1085847/lm5050-2-difference-with-tps2412-at-12v-system

部件号：LM5050-2
“线程”中讨论的其它部件： TPS2412， LM5050-1，测试

尊敬的 TI 工程师：

我想设计一个具有12VDC 输出的 ORing 电路。 LM5050-2的输入电压范围从6V 到75V 不等。 LM5050-2是否 适合用于12V 系统？ LM5050-2和 TPS2412之间的推断是什么？

在 LM5050-2数据表的第13页上，它建议使用逻辑电平 MOSFET 来构建电路，您可以告诉您究竟是什么逻辑电平 MOSFET ？

谢谢！

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    TI__Guru**** 1118110 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨 Peter，

    欢迎使用 e2e！

    TPS2412和 LM5050-2都可以阻止反向电流，因此可以用于 ORing 配置。

    • 如您所述，  LM5050-2的输入电压范围 比 TPS2412更宽。  
    • TPS2412 具有可调反向电压阈值(可调关闭阈值)。

    如果您能提供有关最终应用和规格的更多信息，我可以帮助您在两者之间选择正确的部分。

    在这里，逻辑电平 MOSFET 对应于打开 MOSFET 所需的栅极源电压，即 FET 栅极源的3.3V 或5V 电压可以打开 FET。  

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    TI__Guru**** 1118110 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨，普拉文，

    明白了！！ 我想了解更多关于这方面的信息。

    因此，Vgs=3.3V 或5V 的 FET 是逻辑电平 MOSFET。 Vgs 是 3.3~5.0伏之间的任何其他电压值吗？   Vgs=4.0V 或4.5V 的 FET 是否属于逻辑列式 FET？ 什么是次级逻辑电平 MOSFET？

    2，我们正在设计输出为50V/30A 的电源电路，并希望使用 LM5050-2来构建 ORing 电路。 那么，什么类型的 FET 是合适的？ 2mΩ Vgs≤5V，RDS(on)=Δ T？ 是否需要使用线性 FET？ 我们更喜欢标准 FET，而不是线性 FET，因为价格合理。

    3，我们有另一个输出为12V/13A 的电路，也必须建立 ORing 电路。 我们更喜欢 LM5050-2和 TPS2412，但我们担心在12V 系统上 LM5050-2的性能。 TPS2412专注于低电压电平，在12V 系统上，其剂量性能优于 LM5050-2。

    谢谢！

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    TI__Guru**** 1118110 points
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    嗨 Peter，

    请参阅以下我的回答：

    次级逻辑电平 MOSFET 的栅极阈值约为2V 或1.2V。 LM5050-2能够驱动具有逻辑和子逻辑电平门限值的 MOSFET。  基本上，任何栅极阈值< 5V 的 FET，都覆盖市场上的大多数 FET。  

    2.在 ORing 应用中，FET SOA 并不重要。 因此，您也可以考虑使用标准/切换 FET。  您可以按照数据表“选择 MOSFET”一节中的建议了解 MOSFET 选择中重要参数的不同情况。

    3.LM5050-2在12伏的低电压下工作时，性能不会下降。  您可以期望 LM5050-2在整个工作输入电压范围内保持一致的性能。 有关详细分析，请参阅 数据表“典型性能特征”一节中的表征图解。  

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    TI__Guru**** 1118110 points
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    嗨，普拉文，

    非常感谢。 这对我有很大帮助。

    关于 LM5050-1，LM505050-1和 LM5050-2在 ORing 电路中是否具有相同的性能？

    LM5050-2具有 FET 测试模式。 我对如何使用它很好奇，因为如果我们激活 FET 测试模式以承受重负载，FET 将被关闭，所有电流将流经身体二极管，这会导致大量功率损失。 在我看来，当输出电流很大时，我们激活 FET 测试模式是危险的。 但如果我们无法确定 FET 是否短路而没有输出电流。 我们如何以安全的方式使用 FET 测试模式。 如果我们不使用 FET 测试模式， 我们只允许 nFGD 引脚浮动，对吗？

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    TI__Guru**** 1118110 points
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    嗨 Peter，

    让我在下周初回到您的身边。

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    TI__Guru**** 1118110 points
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    嗨 Peter，

    是的，LM5050-1和 LM5050-2 在 ORing 配置中具有相同的性能。  

    通常，FET 主体二极管能够处理与通道相同的电流，从而缩短持续时间。  您可以使用 FET 测试模式的时间足够长 ，以便微型控制器 检测 nFGD 输出(分析 FET 状态)，但也可以使用足够短的时间，不会导致 FET 过热。 如果未使用，nFGD 可以保持浮动。  

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    TI__Guru**** 1118110 points
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    嗨，普拉文，

    非常感谢！ LM5050-2，LM5050MK-2和 LM5050MKX-2有两个版本。 两个版本之间有何区别？

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    TI__Guru**** 1118110 points
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    彼得

     LM5050MK-2和 LM5050MKX-2之间的唯一区别是包装数量。