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[参考译文] LMR62014:升压转换器的过电流/短路保护

Guru**** 2526700 points
Other Parts Discussed in Thread: LMR62014

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1086812/lmr62014-overcurrent-short-circuit-protection-for-boost-converter

部件号:LMR62014

您好,

我们想知道应用手册(链接如下)是否可用于为 LMR62014升压转换器电路创建短路/过电流保护。

链接: www.ti.com/.../slva998a.pdf

我们希望使用图4-4 (P 通道 MOSFET + Rsense)实现保护电路。 我们之所以选择这种方法,是为了使负载的 Vo 连接到地面。  

我们想问的是为什么 R1电阻器在 MOSFET 和 Rsense 之间连接,而不是像图4-2那样在 MOSFET 和 Rsense 之后连接。 R2是否应该连接 Vo+以使基座和发射器上的电压成为 MOSFET 和 Rsense 的压降?  

此电路是否只能防止临时短路? 只要负载端短路,MOSFET 是否会一直打开? 当输出电容器耗尽时,MOSFET 是否会再次打开?  

谢谢,

德尼尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,德尼尔

     我认为电路功能也适用于 LMR62014,但请根据 LMR62014设计选择 Cin,感应器,Cout。 您的问题:  

    1.是的,我认为你是对的。 R1应 在 MOSFET 和 Rsense 之后连接,如图4-2。 由于 感应电阻器应该是 RDSon (Q2)和 Rsense,因此应用手册中有误。

    由于 使用 PMOS,Q1的 VBE 应由 MOSFET 和 Rsense 的电压控制。 我 认为,R2的位置是正确的。 NMOS 和 PMOS 之间应该存在差异。

    3.只要存在短路电流,Rsense 和 RDSon (Q1)之间的电压就足够大,可以打开 Q1,电路就会 一直被切断。 因此,只要 短路电流不消失,电路 就会一直关闭。

    此致,