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[参考译文] UCC27284-Q1：半桥式栅极驱动器，用于驱动高侧背对背 N MOSFET

admin
Guru**** 670830 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27284
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1085787/ucc27284-q1-half-bridge-gate-driver-to-drive-a-high-side-back-to-back-n-mosfets

部件号：UCC27284-Q1
“线程”中讨论的其它部件：UCC27284

尊敬的 TI 团队：

这与以下应用电路有关：半桥门驱动器，用于驱动高侧背对背 N MOSFET (采用通用源代码配置)

当我们禁用 HI 时，我们有以下观察

  1. 即使 Vgs 在1美制下变为0伏，Ho 也需要~200毫秒才能变为0伏
  2. MOSFET 输出跟随 HO。

随附的示意图和您的类型的波形 reviewe2e.ti.com/.../UCC27284_2D00_Q1-Schematic-_2600_-Test-Results.docx

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    TI__Guru**** 670830 points
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    您好，

    感谢你的提问。 请澄清是针对接地还是针对 HS 测量了何种测量值？ 应根据 HS 测量 Ho 值，因为这是从栅极到 FET 源的电压。  

    此致，

    莱斯利

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    TI__Guru**** 670830 points
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    你好，Leslie

    感谢您的回复。

    Ho 是根据接地测量的。
    对于美国来说，HO 后的 MOSFET 输出存在问题，因为它需要~200ms 才能变为0V

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    TI__Guru**** 670830 points
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    您好，  

    感谢您的澄清。 当 HS 上下移动时，充电泵电容器(原理图中的 C14)必须充电和放电，如果您在测试开关输出的高阻抗，则电容器的放电速度可能会很慢。 我建议尝试使用输出负载进行测试，以便电容器能够更快地放电。  

    此致，

    莱斯利