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[参考译文] BQ2.579万EVM:指南中出现拼写错误,GUI编辑器中出现错误或未能在GUI编辑器中写入充电电压限制

Guru**** 2387780 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1088988/bq25790evm-typo-in-guide-error-in-gui-composer-or-otherwise-failing-to-write-charge-voltage-limit-in-gui-composer

部件号:BQ2.579万EVM

您好,

我正尝试按照 评估指南使用 此GUI编辑器演示,通过第2.4 2节向某些寄存器写入数据

一切似乎都很顺利,直到我尝试写入"REG01b[10:0]= 0.111万00010,0.001万,以将最大恒定电压(CV)充电调节限制设置为8400 mV。" 当我尝试写寄存器时,它只是恢复到默认值1.101万00011 (0.0011万 (二进制)。 它还在右侧显示一个840的值,我假定它是二进制的十进制表示。 我注意到,我可以通过在GUI下的"充电器配置"->充电电压下写入新电压来更改此二进制值。 我还注意到,尽管设置了8.400V的值,但二进制与指南不匹配。 因此,我想知道指南中是否有错误的二进制值,或者还有什么可以解释不匹配的原因。

 从数据表的8.5 .1.2 部分 ,它显示的范围为3000mV-18800mV,1.88万,每位步距为10mV偏移。 我有11位,或2^11 = 2048个不同的值,我可以注册到覆盖1.58万mV的范围。 如果我每次增加值时加上10mV,我预期达到1.88万mV,值为(1.58万 / 10)= 1580。 根据数据表的表9,"寄存器上低于的任何写入
有效范围的最小值,将被充电器忽略",因此我希望1581至2048之间的任何值都将被忽略,并夹紧到1.88万mV。

所以如果我想要8400 mV,我需要8400 - 3000 = 5400mV的步进,或者一个值(5400 / 10)= 540,即1万11100。1.11万。 虽然这可能是巧合,但这是指南(0.111万00010)0.001万)中所提供内容的镜像。 此外,如果将指南中给出的二进制转换为十进制,则应为450或4500 mV。 这似乎表明指南提供了错误的二进制文件。

只是为了确保我不会从根本上误解这件事,如果我从指南中获取之前的寄存器指令,"REG00b[5:0]= 0.111万以将最小系统电压设置为7000 mV。"并查看数据表的8.5 部分。1.1 , 我在6位上看到的范围是2500mV-16000mV,1.6万,步长为250mV。 如果我想要7000mV,我想要7000 - 2500 = 4500mV或(4500 / 250)= 18级,或二进制值为  1.001万。二进制和十进制(18)均与寄存器映射中显示的匹配。

因此,我似乎正确地理解了这一点,但指南为8400 mV的充电电压提供了错误的二进制,当我尝试将其设置为0.111万00010 (0.001万 (4500 mV)时,它忽略了这一点。 我的猜测是因为我有一些其他冲突的电压,不允许这么低的充电电压。 是否有人可以确认您或我可以提交准确的文档错误报告?

此致,
Christopher

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    您好,Christopher:

    如果看门狗计时器超时,寄存器将恢复为默认值。  如果禁用看门狗计时器或在WD位过期之前写入,寄存器将保留其值。  PROG引脚设置电池,充电电流,充电电压,最小系统电压和切换频率寄存器的默认值。   如果您通过I2C更改单元寄存器,其它寄存器将自动更改。   电池寄存器(1S,2S,3S,4S)还夹紧充电调节范围和最小系统电压寄存器。  

    8400mV的REG0x01-02值如下所示。

    REG03中的充电电流似乎也不正确。  我将提交用户指南的更改。

    感谢您找到错误!

    此致,

    Jeff

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    您好,Jeff:

    是的,指南中的REG03指出0.011001亿,而实际上它应该是  0.0011001亿。

    我还要注意,我不能按照指南的建议将REG06更改为3000mA:

    " REG06b[8:0]= 1.001011亿,将输入电流调节限值(IINDPM)设置为3000 mA。 "

    它看起来像另一个安全/锁模/忽略。

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    从数据表中的引脚函数表中,它显示为“。 充电器使用的输入电流限制是Ilim_Liz引脚和IINDPM寄存器的较低设置"在评估板原理图上,它看起来只有两个选项,即通过JP15和JP16的500mA和1500mA。

    提前阅读,我看到:

    "如果在SYS J3终端增加充电电流或增加负载,您可能需要使用8位寄存器选项卡/充电器单位寄存器/REG14b[1]禁用EN_Ilim位,并在16位寄存器选项卡/充电器多位寄存器/REG06b[8:0]中增加IINDPM寄存器设置。"

    所以我尝试禁用这个EN_Ilim,并且能够更改为3000 mA。 看着数据表,没有提到EN_Ilim,所以我认为这是一个打字错误,因为数据表引用了与EN_EXTIIM相同的寄存器(遵循相同的命名约定可以使在数据表和指南之间移动更加容易)。 我还建议将此步骤添加到指南中(在 尝试将输入电流限制更改为3000 mA之前禁用EN_EXTIIM)。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢。  我将添加到数据表更新列表中。  并在用户指南中添加有关Ilim_Liz引脚的更多说明。

    此致,

    Jeff