[参考译文] LM7480-Q1：滞后反向电流保护

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1088853/lm7480-q1-hysteretic-reverse-current-protection

部件号：LM7480-Q1

您好，

我想验证一下我对LM7.4801万的反向电流保护机制的理解，因为它与我的设计有关。

我已经通读了LM7480-Q1数据表和 Body Diodes Basics App便笺。

对于我的电路，我正在使用NCEP023N10LL FET进行极性反接保护FET。 RDS (接通)范围介于1.8 和2.3mOhm之间。根据LM7480-Q1数据表，Vac_rev介于-6.4分钟，-4.5典型值，-1.3最大值之间。要使LM7.4801万在反向电流条件下使用滞后开/关控制机制打开FET，必须在FET的漏极和源上测量至少-1.3mV和最多-6.4mV。

在NCE023N10LL的低RDS (接通)下，这意味着在反向电流条件下，我的电路可以看到最小-0.56A，最多-3.56A的输出，这是否正确？还是我不完全理解这种操作？

计算：

最小值= Vac_rev (最大值)/ RDS (接通)(最大值)=-1.3mV / 2.3mV =-0.56A

最大值= Vac_rev (min)/ RDS (ON)(典型值)=-6.4mV / 1.8mV =-3.56A

*没有为FET提供最小RDS(on)值

谢谢！

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2553420 points

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您好，Nick：

欢迎使用e2e！

您的理解是正确的。 LM7.4801万-Q1检测并关闭FET所需的反向电流量为= V_{(AC_REV)}/ RDS_(ON)。所需的反向电流考虑，

典型值= 4.5mV/Mohms = 1.8 2.5 A
最佳条件= 1.3 mV/Mohms = 2.3 0.565 A
最坏情况= 6.4 mV/最小 RDS(on)

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