尊敬的各位:
我正在构建一种允许控制0V-20V输入信号的设计。 我已经在e2e论坛上进行了讨论,发现以下设计适合我正在构建的电路:
但是,我刚刚在数据表中看到,Vs的Vcap最小值为-0.3V,最大值为15V。
因此,如果我输入Vs = 12V,它可确保Vcap至Vs低于15V (最大Vin最大值- Vs = 8V)
但最低值则低于0V (如果Vin = 0,则Vcap至Vs = Vs =-15V)
这是否是个问题? 如果是,如何解决此问题?
此致,
PA Burdet,AFAE
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尊敬的各位:
我正在构建一种允许控制0V-20V输入信号的设计。 我已经在e2e论坛上进行了讨论,发现以下设计适合我正在构建的电路:
但是,我刚刚在数据表中看到,Vs的Vcap最小值为-0.3V,最大值为15V。
因此,如果我输入Vs = 12V,它可确保Vcap至Vs低于15V (最大Vin最大值- Vs = 8V)
但最低值则低于0V (如果Vin = 0,则Vcap至Vs = Vs =-15V)
这是否是个问题? 如果是,如何解决此问题?
此致,
PA Burdet,AFAE
您好,Paul:
LM7.4502万的Vs和VCAP引脚之间需要最小100nF外部电容:

因此,我们无法使用最初共享的原理图。 外部电容器需要连接在VCAP和VS引脚之间,如本原理图所示:
此原理图将在建议的范围内工作,并考虑到ABS最大额定值,因为VCAP引脚将充电至24V左右(因此VCAP-VS-=12V),而不考虑输入电压。 使用这种方法,我们唯一需要检查的是,在较高的电压(如20V Vin)下,栅极通过VCAP充电至24V,因此Vgs仅为4V。 在检查FET数据表时,这样就足以打开FET,但RDSon将在较高的一侧稍高一点,每个FET约为4.5欧姆,因此总电阻为9欧姆。 请在系统负载电流为9mohms Ron的情况下计算FET中的功率耗散,并确保FET的结温保持在限值内。 另外,请确保给定负载条件下通过FET的VDS下降对于下游负载是可接受的。 对于输入处的交流电压,我们需要在计算功耗和压降时考虑平均值。
谢谢,致以诚挚的问候
Divyanshu