[参考译文] TPS23753AEVM-001：如何设计RC缓冲器？

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1089290/tps23753aevm-001-how-to-design-rc-snubber

部件号：TPS23753AEVM-001

大家好，

我的客户需要知道如何设计这些RC值和尺寸。

他们需要一些数据来说服他们的最终客户。请作出评论。

请参见下面的绿色圆圈。

谢谢

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1788580 points

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问题1：Slvu315a.pad在C25时的耐受性为200V，在R30时的功耗为1/2W。请使用计算来告诉我们为什么C25应该使用200V耐受电压，而R30应该使用1/2W？
问题2：问题2：图2是我们的POE电路。我们的POE输出为5V。 POT201的回转比为1 (PRI)：0.25 (秒)。 R2和C1的规格是否与R30和C25相同？

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1788580 points

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你好，Paul，

有关值，请参阅以下文章： https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/calculate-an-r-c-snubber-in-seven-steps

对于额定功率，我们使用P = C * V^2 * FSW

对于电压保护罩的额定电压，我们通常采用电压保护罩的实际电压x2。因此，FET上的电压约为100V，为我们提供了200V的电压。另一个示例是，VDD上的输入电源的平均电压为48V，最大电压为57V。我们使用100V的额定电压。

如果此帖子回答了您的问题，请将此主题标记为已解决。谢谢你。

此致，

Michael P.

应用工程师

德州仪器(TI)

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