[参考译文] LM7.48万EVM-CD：LM7.48万EVM-CD

您好 ，Federico，

是的，LM7.4801万-Q1和LM7.49万-Q1之间的唯一区别是 LM7.4801万-Q1仅具有比较器的反向电流栅极关闭功能，而LM7.48万-Q1具有线性栅极调节+比较器的方案。

对于 LM7.4801万-Q1关闭栅极，输出电压和输入电压之间的电压差应 大于 V (AC_REV)，即4.5mV。

请问您是如何测试条件以强制Vout > Vin的吗？ 如果输入电源刚刚拔下/移除而Vin未放电，则 可能有少量从Vout到Vin的电流，这种电流足够小(导致 输出端的压降小于4.5mV)，为输入电流充电，LM7.4801万-Q1未检测到。 您是否可以尝试用电阻负载放电输入电压并再次检查？

您好，Praveen：

感谢您的回答。

我连接了评估板，如下图所示：

在这种情况下，LM7.48万－Q1驱动器将关闭MOSFET Q1A并阻断反向电流。

在与LM7.4801万-Q1驱动器相同的配置中，Q1A MOSFET在全导电状态下保持打开。

V (AC_REV)>>4.5mV，并且评估板的输入电源从不断开。 我还尝试将一 个100kΩ Ω 电阻器与12V电源并联连接，但它没有改变，MOSFET Q1A始终打开。

感谢您的支持。

此致。

Federico  

您好 ，Federico，

当LM7.48万EVM-CD的输出端为13.3V (14V二极管压降)，输入端为12V时 ，LM7.4801万-Q1器件应肯定 会关闭栅极。 我能想到的唯一可能的原因是IC损坏/焊接不当。 您是否尝试过使用  新型LM7.4801万-Q1 IC进行焊接和测试。 除了用LM7.4801万-Q1替换LM7.48万－Q1之外，您是否对EVM进行了其它更改？

您好，Praveen：  

我尝试更换LM7.4801万-Q1驱动程序。  我更彻底地调查了功能的多样性：  

1. 如果我在输出电压= 12V的情况下打开电源V1，然后在输出电压= 14V的情况下打开电源V2，则LM7.4801万-Q1关闭MOSFET Q1A (理想二极管)
2. 如果从第1点所述的条件升高V2 = 15V的电压，LM7.4801万-Q1将打开MOSFET Q1A，并且所有电源均由V2供电，
3. 如果从第2点I所述的条件降低电压V2 = 12V，LM7.4801万-Q1驱动器不会关闭MOSFET Q1A，而是保持传导。
4. 如果在第3点所述的情况下关闭电源V2，评估板将由V1供电，MOSFET Q1A 将在传导过程中保持接通。

如果我使用LM7.48万－Q1驱动器执行相同的序列，它将作为二极管工作，即当我处于状态3时，V1 = 14V，V2 = 15V， 并且我降低V2 = 12V的电压时，LM7.48万－Q1驱动器将关闭Q1A MOSFET。 这是LM7.48万和LM7.4801万之间的巨大差异。  

两个驱动器之间的这种操作差异是否正确？

谢谢你。

此致。

Federico  

您好 ，Federico，

感谢您提供更多信息。 您能否 再次验证点1。 当V1=12V和V2=14V时，LM7.4801万-Q1将打开MOSFET Q1A。

根据您对的描述，我了解到最初当V1 = 12V，V2 = 15V时，LM7.4801万-Q1已打开Q1A，但当V2从15V降至12V时，LM7.4801万-Q1不会关闭Q1A。  我的理解是否正确？  在这种情况下，V1=V2 = 12V，LM7.4801万-Q1将不会关闭Q1A。是否尝试过将V2电压从15V降至11V？

您好Praveen：  

LM7.4801万-Q1驱动器的操作取决于电源V1和V2的接通和调节顺序。

• 测试1：打开V2 = 12V，然后打开V1 = 14V -> LM7.4801万-Q1关闭Q1A MOSFET (好的，它类似于二极管)
• 测试2： 打开V1 = 12V，然后打开V2 = 14V -> LM7.4801万-Q1打开Q1A MOSFET (好的，它类似于二极管)
• 测试3： 打开V1 = 12V，然后打开V2 = 14V -> LM7.4801万-Q1打开Q1A MOSFET，  然后，如果我降低V2 = 14V的电压并将其调至V2 = 10V或V2 = 8V ，LM7.4801万-Q1驱动器将不再关闭Q1A MOSFET，而LM7.48万-Q1驱动器将其正确关闭，就像二极管一样。 如果在这种情况下我关闭了电源V2，LM7.4801万-Q1驱动器将通过电源V1保持供电，MOSFET Q1A的栅极始终处于高位，并保持MOSFET Q1A打开。  

根据您对的描述，我了解到最初当V1 = 12V，V2 = 15V时，LM7.4801万-Q1已打开Q1A，但当V2从15V降至12V时，LM7.4801万-Q1不会关闭Q1A。  我的理解是否正确？  在这种情况下，V1=V2 = 12V，LM7.4801万-Q1将不会关闭Q1A。是否尝试过将V2电压从15V降至11V？ -> 是的，你知道了Praveen的正确答案。  是的，我尝试将V2的电压降至零伏，但LM7.4801万-Q1驱动器从未关闭MOAFET Q1A。 这是异常现象，而在这种情况下，LM7.48万－Q1驱动程序工作正常。

您好，Federico，

我清楚地了解这个问题。 请将我的解释填写在下面，

LM7.48万－Q1具有线性栅控技术。 使用此控制技术，随着 负载电流的降低，栅极电压会降低(以增加MOSFET电阻)，从而将FET源-漏电之间的电压保持在V (AC_REG)。 这样，当负载电流降低并尝试-ve时，门完全关闭，允许0A反向电流。  

另一方面 ，LM7.4801万-Q1仅具有基于比较器的反向电流阻塞，无论负载电流如何，门电压始终较高(只要负载电流为+ve)。 这意味着控制器需要一些反向电流(=V (AC_REV)/RDS (ON))才能检测和关闭FET。 在 您看到意外行为的测试案例中，发生的是低于可检测阈值的反向电流流动，并将V2 (来自VOUT)充电至等于VOUT的值。 换言之，反向电流能够在LM7.4801万-Q1检测反向电流的情况下将V2充电至VOUT电压。 我们可以通过 以下方法之一使LM7.4801万-Q1检测反向电流并关闭：

1. 增加输入电容。
   1. 输入电流上限越高，输出电流所需的电流就越多，可将其充电至VOUT电平，这有助于检测反向。
2. 使用具有较高RDS _(接通)的FET。
   1. 这将有助于增加给定反向电流的FET上的电压，并导致控制器提前检测和关闭FET。
3. 以较高的转换速率关闭/缓降V2。  

您好，Praveen：  

感谢您的解释。  我增加了输入容量并执行了以下测试：  

打开V1 = 12V，然后打开V2 = 14V -> LM7.4801万-Q1打开Q1A MOSFET ->然后我快速降低电压(类似一步)

V2 = 04V LM7.4801万-Q1驱动器不会关闭Q1A MOSFET，反向电流为50mA。  

在此配置中，V1 = 12V，V2甚至降至零伏，LM7.4801万-Q1驱动器永远不会关闭Q1A MOSFET。 这意味着它 不能作为理想的二极管工作。 是否确定这不是芯片错误？

谢谢你。

此致。

Federico  

您好 ，Federico，

当V2电源从14V降至4V时，LM7.4801万-Q1输入处测得的电压是多少？

** 如果电源不允许反向电流流入LM7.4801万-Q1输入处的电压可能与电源(V2)上设置的电压不同。

您能否与捕获的以下信号共享波形- LM7.4801万-Q1输入处的电压，LM7.4801万-Q1输出，DGate，VCAP

您好，Praveen：  

测试1：打开V2 = 12V，然后打开V1 = 14V -> LM7.4801万-Q1关闭Q1A MOSFET

测试2：打开V2 = 14V，然后打开V1 = 12V -> LM7.4801万-Q1打开Q1A MOSFET ->然后快速降低(如步骤) V2 = 04V LM7.4801万-Q1 驱动器不关闭Q1A MOSFET：

我在应用板上焊接了LM7.48万－Q1芯片，并执行了测试-2 (在我的应用中，欠压阈值为20V，因此我提高了V1和V2的电压)。

打开V2 = 24V，然后打开V1 = 22V -> LM7.48万 -Q1打开由DGATE (理想二极管)驱动的MOSFET ->然后我快速降低(类似步骤) V2 = 14V电压 LM7.48万 -Q1通过 阻止反向电流关闭MOSFET  

一个序列，其中V1 = 22V常量，V1 = 24V -> V2 = 14V -> V2 = 24V ...

LM7.48万－Q1驱动程序工作正常。

我在在线目录中找不到此部件号， 您能给我5个部件号来测试我的应用程序吗？  

谢谢你。

此致。

Federico  

您好，Federico，

从LM7.48万-Q1和LM7.4801万-Q1测试2的测试结果中，您可以清楚地看到，如果是LM7.4801万-Q1，V2将被充电至输出电压，因为V2将降至输出电压以下。 这与我的上述解释一致-从输出到V2的反向电流不够高，在V2充电之前LM7.4801万-Q1无法检测到=输出电压。 此外，V2上的电源没有漏电。

很遗憾，  如果在TI.com上没有LM7.48万－Q1样本 ，我将无法为您提供帮助。 您是否有TI现场团队为您提供支持？

您好，Praveen：

解释很清楚。  LM7.4801万-Q1驱动器关闭Q1A MOSFET需要多少mA的反向电流？  

我已测量到50mA的反向电流，但驱动器仍未检测到它处于反向偏置状态。

我知道它是如何工作的，但这有点奇怪，因为在正常操作中没有真正的二极管允许大于50mA的反向电流， 我认为这个驱动器更准确。  

谢谢你。

此致。

Federico