您好,
我们使用LM5072-80设计了输出12V/2A (24瓦) POE。 我们在变革之后遇到了一个奇怪的问题
MOSFET (在我们的设计中为Q1)。 我们必须将MOSFET Q1 (APT55T10G)更改为其他MOSFET (SPN72T10T252TG)
由于原始MOSFET的带电结束。
通过在Q1上安装新的MOSFET (SPN72T10T252TG),当POE设备时,输出波纹将显著(高于500mV)
加载特定范围的输出电流(例如 0.35A ~ 0.38A;0.5A ~ 0.56A;0.65A ~0.7A;0.8A~0.85A)。
我们使用电子加载器进行测试。 对于大多数负载输出电流,输出纹波电压看起来正常(小于90-mV)。
但是,对于某些特定的负载输出电流段,输出波纹很明显。 例如,波纹约为45mV
对于加载的0.4A,当POE输出0.35A时,波纹电压将为500mV。 我们比较了这两个MOSFET的数据表,似乎是这样
新MOSFET (SPN72T10T252TG) 具有更好的参数(例如,低RDS ON,栅极电容器)。
您对如何调试它有任何线索和想法吗? 是否与稳定性问题有关? MOSFET的数据表和POE的原理图
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