This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5072:更改功率MOSFET后出现较大波纹

Guru**** 2333840 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1089732/lm5072-large-ripple-after-change-power-mosfet

部件号:LM5072

您好,  

我们使用LM5072-80设计了输出12V/2A (24瓦) POE。 我们在变革之后遇到了一个奇怪的问题

MOSFET (在我们的设计中为Q1)。 我们必须将MOSFET Q1 (APT55T10G)更改为其他MOSFET (SPN72T10T252TG)

 由于原始MOSFET的带电结束。

通过在Q1上安装新的MOSFET (SPN72T10T252TG),当POE设备时,输出波纹将显著(高于500mV)

加载特定范围的输出电流(例如 0.35A ~ 0.38A;0.5A ~ 0.56A;0.65A ~0.7A;0.8A~0.85A)。

我们使用电子加载器进行测试。 对于大多数负载输出电流,输出纹波电压看起来正常(小于90-mV)。

但是,对于某些特定的负载输出电流段,输出波纹很明显。 例如,波纹约为45mV

对于加载的0.4A,当POE输出0.35A时,波纹电压将为500mV。 我们比较了这两个MOSFET的数据表,似乎是这样  

新MOSFET (SPN72T10T252TG) 具有更好的参数(例如,低RDS ON,栅极电容器)。

您对如何调试它有任何线索和想法吗? 是否与稳定性问题有关? MOSFET的数据表和POE的原理图

已附加。

e2e.ti.com/.../2364.SCHEMATIC1-_5F00_-PAGE1.pdf

e2e.ti.com/.../AP55T10GH.pdf

e2e.ti.com/.../SPN72T10T252TG.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,  

    这是一个非常特殊的问题。 根据这些参数,我希望新MOSFET能发挥更好的性能,正如你们所说。  

    如果我不知道这些参数,那么让我感到震惊的是,在满载时,主电流会增加,占空比会延长。 当初级电流较高时,FET可能会达到电流限值或受到热量的影响。  

    您是否能够测试这两个MOSFET在满负荷下的热性能?

    我们还可以检查CS引脚是否存在任何电流限制。  

     

    此致,  

     

    Michael P.

    应用工程师

    德州仪器(TI)