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[参考译文] LMR3.364万：使用IBB拓扑配置LMR3.364万时出现的问题

admin
Guru**** 1826200 points
Other Parts Discussed in Thread: TPSM265R1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1067292/lmr33640-questions-when-configuring-lmr33640-with-ibb-topology

部件号：LMR3.364万
主题中讨论的其他部件： LMR1.402万， LMR1.403万， TPSM265R1

您好，

我对以下文档有疑问：

--------

使用反向降压升压转换器

https://www.ti.com/lit/an/snva856a/snva856a.pdf

--------

(1)在" 8个设计示例"中有LMR3.364万和LMR1.402万的示例。 LMR1.402万的输出端插入了肖特基二极管。 另一方面，LMR3.364万未插入肖特基二极管。 有没有理由？

(2)我有一个关于使用降压DCDC作为IBB拓扑的问题。
理论上是否可以在具有宽输入电压范围的器件中的所有器件上配置IBB拓扑？ 还是由于某些限制而仅限于特定设备？

谢谢！

Koki.

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    你(们)好

    1. LMr3.364万是同步降压转换器，它集成了低侧FET，而不是LMR1.403万的外部二极管。

    2.理想情况下，所有降压转换器都可以配置为IBB，应用程序中提到了限制，即设备的ABS最大值需要高于Vin+ABS(-Vo)，电流限制将与IO和Iin相关。  

    谢谢

  • 0
    TI__Guru**** 1826200 points
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    你好，Daniel

    感谢您的回复。

    1. LMR3.364万是同步整流。 另一方面，LMR1.403万是二极管整流，因此需要肖特基二极管。 这种理解是否正确？

    2.这是关于以下URL的“2.1 附加旁路电容器和肖特基二极管”的项目。

    https://www.ti.com.cn/cn/lit/an/snva882/snva882.pdf

    尽管TPSM265R1集成 了低侧FET，但建议将二极管放在本文档的外部。 您对此有何看法？

    如果TPSM265R1建议使用二极管，我认为也应该为LMR3.364万使用二极管。

    3.请告诉我以下报价的详细内容。

    \n3.364万 Ibb-topology/3949154#3949154"]\n当前394.9154万当前限制394.9154万限制将与IO和Iin这两种情况有关。  [/引述]

    谢谢

  • 0
    TI__Guru**** 1826200 points
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    您好Koki：

    1.是的，没错

    2.对于肖特基二极管，建议在输出端添加。

    3.对于反向降压升压， 电感器中的平均电流等于Iin+IO。由于LMR3.364万限制了电感器的峰值电流，因此它与Iin和IO相关。而较低的Vin将具有较高的Iin。因此最大输出功率受最小输入电压的限制

    谢谢

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    你好，Daniel

    感谢您的准确建议。
    我阅读了以下文档并有其他问题。
    使用反向降压升压转换器(修订版 a)
    https://www.ti.com/lit/an/snva856a/snva856a.pdf

    1.在P.5上，有一个描述，"在IBB拓扑中，输入和输出电流都被"切掉"。
    我无法理解输出电流被切断的含义。 输出电流定义为什么电流？

    2. P.15上的电容器选择方法是根据数据表确定的。 还有一条陈述，建议为IBB拓扑增加输入/输出电容器。
     - A.尝试​​数据表中列出的电容器值。
     - B.如果噪声波纹较大，则增加输入/输出电容器。
    是否可以理解"A"到"B"的发展流程？
    我很担心，因为设计示例中没有对"B"的描述。

    3.LMR3.364万数据表表9-2列出了典型设置中的电容器值。

    https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lmr3.364万.pdf

    如果我设置的输出电压不在此表中，我需要如何计算每个电容器的电容值？

    谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 1826200 points
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    您好Koki，

    就您的问题而言，  

    1)输出电流定义为流经负载的电流。 在反向降压升压中，流经二极管/同步整流器的平均电流。 其外观如下所示

    2)由于上述输出电流不连续，与降压转换器相比，输出电压的纹波可能更大。  

    因此，建议增加输出电容器以减少基本频率脉动

    3)您可以尝试在网络工作台开始，以找出您的电压要求所需的输出电容器。 我们还为TI提供了PSPICE，以便模拟和仔细检查您设计的组件选择。  

    谢谢你

    -Arief

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    你好 ，Arief

    感谢您的回复。 我还有其他问题要问您。

    根据以下E2E博客，

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/laying-out-an-inverting-buck-boost-converter-for-success

    它说CIN (VIN和GND之间的电容器)应尽可能靠近VIN引脚，以优化反向降压升压电路的开关电流回路区域。

    我想问一下CIO (VIN和-VOUT之间的电容器)应该放置在哪里。

    CIO应更靠近VIN而不是CIN？ 还是优先考虑CIN职位？

    谢谢！

    Koki.

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    你(们)好

    CIO将是最高优先级，它将有助于抑制噪音

    谢谢

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    你好，Daniel

    感谢您的回复。 这很有帮助。 两者都很好，靠近VIN针脚，但首要任务是CIO，对吗？

    谢谢！

    Koki.

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    您好Koki：

    是的，没错。  

    李华明

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    你好，Daniel

    下面的文档对CIN进行了如下描述：
    "Cin可以是47 µF至100 µF的小铝模量。"

    鉴于以上布局，建议使用哪种CIN，铝电解 或陶瓷？

    https://www.ti.com/lit/an/snva856a/snva856a.pdf

    谢谢！

    Koki.

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    你好，Daniel

    您有任何更新吗？

    谢谢！

    Koki.

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    两者都可以，我建议使用两个电容器来降低输入波纹。输入rippple与ESR和输入功率相关，因此建议使用低ESR电容器。

    同时，它还需要提供电源，因此我们需要放置47 UF至100 UF电容器

    谢谢