This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC2.895万:QA和QB在使用UCC2.895万的设计中过热

Guru**** 2382400 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/576382/ucc28950-qa-and-qb-are-overheating-in-my-design-using-ucc28950

部件号:UCC2.895万

大家好,

我的全桥电路与UCC2.895万应用表(http://www.ti.com/lit/an/slua560c/slua560c.pdf)中的电路非常相似

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我的帖子似乎有某种错误。 我会在这里重新发布:大家好,


    我的全桥电路与UCC2.895万应用板槽560c中的电路非常相似,只是我的输出为180V,输出功率为1kW。


    我的设备调节正常,一切正常,除了QA和QB快速过热并导致效率问题之外。 QA和QB容易发生的原因是否有任何

    过热且未QC或QD。 (注:我不使用同步整流,也不使用垫片电感器)。


    我用于所有四个开关的MOSFET是FCH067N65S3,我使用+-13V驱动它。 当我查看波形时,上升时间约为总准时时间的10 19 %。


    我们非常感谢您的任何帮助。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Ruben,感谢您的发帖。  我已经联系了相应的应用程序工程师,他会回复您。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我已决定在降低dv/dt的同时添加一个电容器,与两个领先的腿部MOSFET并联。 我还将尝试添加一个外部并联SiC二极管,以减少Qrr损失。 我找到的几篇文章中都提到了这种技巧。 我将更新此帖子,了解其是否有效。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我通过添加具有串联二极管的垫片电感器解决了这个问题。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我正在使用类似的应用程序150V 800W。 我还没有测试温度,但我发现Qa和qb需要更高的输出电流才能达到ZVS,约为2-3.8A输出,但QC和QD将在0.1 - 0.4A的较低输出电流下达到ZVS。 您是否经历过这种情况?