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[参考译文] BQ34Z100-G1:充电效率铅酸PBA

Guru**** 2337880 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100-G1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/576685/bq34z100-g1-charge-efficiency-lead-acid-pba

部件号:BQ34Z100-G1

支持路径:/Product/开发和故障排除/

SLUSBZ5B (2016年7月修订)说明bq34z100-G1现在具有闪存设置,以允许铅酸电池的充电效率随充电状态而降低并受温度影响。 但是,在整个SLUSBZ5B中,此主题的覆盖范围似乎存在许多错误。 此外,本文档中为充电效率计算提供的值(可能还存储在设备的闪存中作为默认值)与人们通常认为适用于真实电池的值不同。 在充满电和低温条件下,它们可能工作正常,但在其他条件下可能会更差。 因此,用户可能希望更改存储的值,如果提供转换系数,我们中的一些人可能会更容易更改存储值,这可能与SLUSBZ5B的P29上的表12中使用的格式相同。 我的猜测是,Pb温度补偿(子类别34和偏移从5开始)将使用公式1280 * DF从DF值转换。 如果是这样,要从K或C (高于25 C)中的温度升高转换为某种程度(可能是每C 0.01 %)中的充电效率降低,温度变化除以1280,然后转换为Xemics浮点形式,然后保存在闪存中。 同样,我的猜测是,Pb Reduction Rate (亚类34,偏移从10开始)将使用公式80 * DF从DF值转换。 因此,要从电荷增加(高于Pb下降百分比)状态转换为某种程度上的电荷效率降低(可能是0.1 % per %),SOC增加数除以80,然后转换为Xemics浮点形式,然后保存在闪存中。 (所有这些数字均为十进制数字。) 不过,这些猜测可能是完全错误的,所以我欢迎作出更正。 提供的任何信息在任何形式都很有用,因此,如果有人只能说出默认(或规定的最大值)闪存内容代表什么以及以什么单位(0.1 % 或0.01 % 或其他任何单位)提供的信息, 然后,应该可以在这一端确定如何进行必要的更改。 感谢您提供的任何帮助。 祝你一切顺利,Tim。

对于其他用户(特别是那些不使用IT评估硬件和软件的用户),转换到Xemics浮点的说明请参阅“How EVSW Display the Raw 1.03 (原始数据显示)”()草文电图(pdf)

e2e.ti.com/.../How-EVSW-Display-the-Raw-Data-V1.03 .pdf

slva148a.pdf第4页上有用于转换的VB脚本

www.ti.com/.../slva148a.pdf ,但SLUA640第8页上的流程图不应受信任。

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    谢谢Tim! 我们将对此进行审查并进行任何必要的更改。
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    好极了。 谢谢。 此外,由于充电率据说在某种程度上影响充电效率,因此可能需要考虑的设施会内置于将来的固件和文档更新中。 请随时询问我(可能通过电子邮件),您是否希望我对SLUSBZ5B中当前或建议提及的充电效率发表评论。 祝你一切顺利,Tim。
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    …但很明显,任何未来的充电率对充电效率的影响程度设置都需要以该未使用的闪存位置的当前默认值(大概为零)为中心,以代表充电率对效率的一些相当普通的影响。 否则,如果将来的芯片用户因为不知道任何新设置而只修改旧设置,将会得到不幸的结果(反之亦然)!

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    现在,我已经开始了解与PBA充电效率(带电荷状态(SOC))和温度变化相关的默认设置,这些设置存储在芯片制造时TI的BQ3.41万-G1闪存中。 我看到存储的值非常极端,这些函数无法真正发挥作用。 由于我们的用户没有纠正此问题的信息,我们暂时不得不放弃对计算的充电效率进行任何动态控制。 相反,我们必须设置一些静态值,以适应蓄电池在使用过程中的平均SOC和平均温度。 我认为大多数人都可以忽略温度对充电效率的影响,因为据说PBA电池的温度较小。 但是,SOC对PBA充电效率的影响相当大。 据说,铅酸蓄电池不应在低于60 % 荷电状态(理想情况下更高)的情况下进行常规放电。 在60 % SOC和几乎100 % SOC之间的允许范围内,平均充电效率可以被粗略地假定为大约70 % 效率(完全充满时,60 % SOC的100 % 与40 % 之间的中间位置)。 如果电池永远不会放电到低于电量的几个百分点(例如,如果它仅用于紧急用途),那么40 % 充电效率低可能是更好的假设。 对于BQ3.41万-G1,子类34偏移4看起来是闪存中放置所选值的正确位置。 在TI告诉我们如何设置正确的充电效率设置之前,必须执行此操作。 (但是,当前文献的含义是,芯片用于动态计算电荷效率与温度变化的方法与其他来源建议的公式不一致,这向我暗示,修复该特定的小问题最终可能需要更改固件和设置。)

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    是否有人知道德州仪器(TI)是否已采取任何措施来解决BQ34Z100-G1及相关文献中的PBA充电效率问题?
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    我正在研究镍氢设计,我还需要准确的信息来正确计算充电效率值。

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    您好,Larry:
    您可以通过coumb计算电池的入电和出电荷来评估充电效率值。

    谢谢
    Onyx