[参考译文] LM5088：工作台48V至12V 8A开关，过热？

您好，

请测量开关节点和门驱动信号的范围吗？ 如果栅极驱动信号存在一些异常，并且未正确驱动FET，这肯定会导致FET中过热。

变热的主要组件是电感器，肖特基二极管和FET。
我正考虑去一个同步切换台，以减少通过二极管产生的0.5V电压降所产生的热量。 但在此之前，我需要看看这条线路现在是否可以工作。

让我看看我是否可以在这里包含图片。  

您好，感谢您的快速响应！

下面是布局，忽略最右上角的IC，到目前为止，我只在板上安装了切换器部件。

以下是无负载时的门波形特图

此处为3R3敏感负载

蓝色轨迹是栅极电压。

黄色为12伏输出

空载时低于

3R3负载

此处为4R4负载，FET源引脚上的红色轨迹

从您的门控驱动波形和源(vSwitch节点)波形来看，我认为FET获得了足够的驱动器来硬切换FET。 但是，查看每个Vout的5V波形时，您似乎有巨大的振荡。 我认为您的循环可能不稳定？ 请您将Rcomp从38.3k减少到10k，保持其他所有内容相同吗？ 谢谢。

好的，更换为10K

您是否有您的主板的实际示意图？ 请您能否提升电感器并测量电感器电流？ 谢谢。

大家好，我有一个示意图。 (希望)，它与webench生成的相同。 请参阅下文。

感谢您的帮助，非常感谢！  ：)

请不要犹豫，询问我是否可以提供任何其他有用的信息

抱歉，我的意思是，提起电感器的一侧并在那里放置一个回路，以便电流钳可用于测量电感器电流。  

啊，我没有示波器电流钳
只有一个独立的手持式仪表。

也许我可以提起一侧并串联几个欧姆电阻器，然后测量电压变化？
我会看看我能做些什么。

谢谢

你好，很抱歉发布延迟，我已经离开滑雪板了很长一段时间了:)

将建议的47uF X5R SMD陶瓷输出电容器(GRM32ER61C476ME15L)更换为通孔22uF电解可解决栅极驱动波形问题。 请参见下图。

这可能是由于原始电容器的ESR过低？

如果是，是否建议使用陶瓷SMD替代品？ 或者我应该添加一些小的串联电阻？

非常感谢

您好，

由于输入LC滤波器形成，您的电源似乎在振荡，需要减振。  长电缆构成寄生L，如果输入端有输入电容器且ESR极低， 这将导致振铃并导致下游电源不稳定，因为输入滤波器的输出阻抗与电源的输入阻抗有关。  阻尼LC滤波器位于电源的输入端，通常用于稳定电源。

没问题，原理图仍与以前一样，并且根据建议的TI设计，应该在此线程的某个位置共享。

我将在下面的帖子中找到图层，谢谢

这里是四层板，2盎司铜

顶部铜色和丝网印刷：

内部1层和屏幕打印：

内2层和丝网印刷：

底部铜和丝网印刷：

那是怎样的？

我将Proteus用于原理图和布局，请告诉我能否以更方便用户的格式发送它们。

谢谢

查看原理图，我发现您只有1uF输入电容器？  IRMS电流需要满足Cin。  对于50 % 占空比(最坏情况)，建议将Cin的IRMS等级设置为Iout / 2。  如果输出电流= 8A，这意味着您需要4A的RMS电流额定值。  1uF盖可能尺寸过小？ 如果您想要更准确地计算CIN IRMS，公式如下所示。 ICINIRMS=Iout (sqrt (D*(1-D)))，其中D = Vout / Vin。 对于48V输入和12V输出以及8A负载电流，CinIRMS =~3.5A，建议在电源输入端放置2 x 4.7uF陶瓷。 我还建议使用具有较高ESR (~0.2欧姆左右)的Cin散装电解电阻来阻尼电源输入。

现在进入布局。 我认为您的Vcc盖(C17)离IC太远，应该尽可能接近Vcc引脚和GND。 此外，您的反馈电阻器(R28/R29)离IC太远。 FB节点需要尽可能靠近IC的FB引脚。

关于布局的最后一点是，需要将CS和CSG路由到Rsense (R32)进行差分路由。