[参考译文] UCC2897A：求助TI技术人员，UCC2897A的应用资料SLUA535中第25页的第54式中，有疑问。

谢谢

您好，Dushimutong

我的TI翻译员应用程序为我提供了以下翻译，我将尽我所能以红色回答

问题：在应用程序文件第12页商店9的UCC2897A SLUA 535中
计算公式给出的值不是285.568 ，UF是错误还是公式错误？

我认为公式是正确的，但其中的参数值不是很清楚。 您需要知道您正在驱动的MOSFET的栅极电荷和切换频率。 您还需要知道VREF引脚处的电容-我假定为0.22uF。 该等式主要由切换MOSFET门所需的电荷和软启动时间来控制。 应用手册中没有特别清楚的说明-所以我的建议是按现在的方式使用方程式，看看330uF电容器可以获得什么启动时间。 例如，如果您将TSS设置为200ms，IC = 3mA，Qg = 30nC，Vhyst = 4.4V，您将获得 3007uF的Cboot。

问题2：在应用程序文件23第17页的部分的UCC2897A SLUA 535中，它是否被IQF (RMS)所减少？

我不确定我是否理解您的问题，但公式23仅计算QF的开关损耗。RDS_ON中的正向传导损耗将与此损耗相加(在方程式26中计算)，如果主体二极管在某些开关循环中进行传导，则传导损耗也会与此损耗相加。 (在方程式25中计算)

问题3：在应用程序文件第25页第54页的UCC2897A SLUA 535中
1：Qgc定义什么是什么？

我想您的意思是第25页上的公式54 - Qgc是MOSFET的栅电荷-这通常在MOSFET数据表中给出。 方程式54是计算从栅极到漏极的有效电容。 它是从MOSFET数据表推断出来的。 然后使用此有效电容来估计主MOSFET中的开关损耗(方程式55)

2：Qmain is main MOS tube DP of Si7846 is the total gate charge Qg？  

很抱歉，我不理解这个问题。

问题4：在应用程序文件535的UCC2897A SLUA中，增益/频率曲线是MathCAD计算或模拟，我可以使用哪种软件作为公式模拟图感谢遵循材料上的数字之间的一些差异。  TI从未为该器件发布过MathCAD文件，但您可能会发现其中附带了一个内部文件，这对您很有帮助。
/CFS-FILE/__key/communityserver-discussions-组件文件/196/2768.UCC2897A_5F00_Power-Stage -2897 -设计_5F00_Rev-0.xmcd

如果我能提供进一步的帮助，请告诉我。

此致
Colin

您好，Dushimutong

我在Cboot的计算中犯了一个错误-'Cboot of 3007uF'应该为'Cboot of 300uF'。
此致
Colin

HELO Colin

非常感谢。

问题2中：公式23中，开关损耗的计算时，如果不引入电流，则公式得不到功率单位瓦特（W）。

问题3中：公式54中，如果Qgc代表MOS的栅极电荷，那Qmain代表什么呢。也就是说，我不知道引入什么数据来计算。

问题4中：这个SLUA535文件，中的Figure20，图21，图22，图23，图24，图25，图26，图27，是用什么软件仿真的？

此致

在这里，我对这里的印象是很好的

你好，Colin
请问附件中提到的（Unitrode电源设计研讨会SEM-1100）这个文件，原文你有没有，或者你是否知道在哪能下载。谢谢。

此致
在这里，我对这里的印象是很好的

您好，Dushimutong

：计算开关损耗时的23公式，如果不引入电流，则公式将在问题2中丢失解决方案功率，单位为瓦(W)。

很抱歉，方程式23的尺寸不正确-它计算电压(V)，您回答正确-需要乘以电流(A)才能获得功率(W)。 假设电流为33nC*250kHz，那么我计算如下 ：5V*16.5ns*250kHz*33nC*250kHz =0.17mW  ，这符合我的预期，即低电压输出上的开关损耗非常小-我认为应用说明中的506mW是高估的。

问题3：在方程式54中，如果MOS Qgc代表闸门荷- Qmain代表什么，则计算公式54。 这就是，我不确定引入了哪些数据。
CAUS_QMAIN_100V取自MOSFET数据表-它是100V漏极至源电压时的Coss值。 COSS_QAUX_100V与Aux MOSFET的参数相同。

问题4的SLUA：图20，图21，图22，图23，图24， 图25，图26，图27将使用什么软件仿真？   不可能说- 原始图形可能是在MathCAD中生成的，也可能是在Excel中生成的。 技术写作人员通常会将这些源文件重新格式化为标准TI格式-

我的TI翻译工作做得不是很好，但我想您是在问您从哪里可以下载Unitrode SEM-1100白皮书- 这可以在 http://www.ti.com/ww/en/power-training/login.shtml?DCMP=psdslibrary&HQS=tlead-power-psdslibrary-apec2015-pwrhouse-20150312-lp-en上2015.0312万上找到  -以及所有其他设计研讨会论文-它是按照主题行而不是按研讨会编号组织的 但如果您在搜索字段中输入'sem-1100'，您可能会找到所需的主题。

如果您需要进一步的帮助，请告诉我。

此致

Colin

你好，Colin
非常感谢。
问题3：在方程式54，中，如果Qgc是MOS的栅极电荷。 Qmain的含义是什么？

此致
在这里，我对这里的印象是很好的

你好，Colin
非常感谢。我毫不怀疑。
您是否有任何其他联系信息？ 例如电子邮件
此致
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您好，Dushimutong

是的，我在colingillmor@ti.com请注意，我们更喜欢在e2e论坛上处理问题，因为答案已公开发布，所以我请您在此处发布您的问题。

当然，例外情况是，如果询问的问题或客户请求的信息是保密的-在这种情况下，我们会将讨论移至电子邮件中-否则，请继续使用e2e。

此致
Colin

你好，Colin

好的，谢谢。

此致

在这里，我的印象很好

你好，Colin
您是否有LM5026的Mathcad。非常感谢。
此致
在这里，我对这里的印象是很好的

您好，Dushimutong

否-很抱歉我们没有LM5026的Mathcad文件。

您可以在 www.ti.com/.../slua672.pdf的.pdf中找到  有用的信息。

您可能已经找到了SEM1000材料，但 https://www.ti.com/seclit/ml/slup108/slup108.pdf 和 https://www.ti.com/seclit/ml/slup112/slup112.pdf上的SEM1000主题 可能会有所帮助。

此致

Colin

你好，Colin
非常感谢。
我找到了这些文件。
谢谢你。
此致
在这里，我对这里的印象是很好的

你好，Colin
很抱歉再次打扰你。
当我使用UCC2897A芯片设计有源钳位时，我不理解应用文件SLUA535中的方程式49。
问题1：如何确定内核是否已重置，或者哪些参数可以指示内核已重置。
问题2：如何设计初级电感，泄漏电感和钳电容，以确保共振周期和内核重置时间。
问题3：假设重置核心所需的时间为t，则t应小于(1-Dmax)*TS。
这是我的理解，如果我的理解错误，请纠正我。

此致
Neil