This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5113:LM5113最大启动电容器

Guru**** 2322270 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5113
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/576890/lm5113-lm5113-maximum-bootstrap-capacitor

部件号:LM5113

尊敬的女士或先生

 

我们目前正在使用 LM5113 栅极驱动器开发逆变器

 

由于我们的功率半导体具有显著的栅极漏电流,因此需要一个大约500uF的大型自举式电容器来确保正常工作。

 

在数据表部分8.2 .2.2 中,没有说明最大引导电容器的信息。

 

您是否知道bootstrap帽有任何实际限制?

 

非常感谢您的回复

 

此致

 

David Menzi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    David,

    感谢您对LM5113栅极驱动器的关注。 自举电容器的值没有特别的限制。 但是,要确保正常运行,需要考虑以下因素:

    答 我建议仍使用一个或两个较小的电容器来处理高频电流。 也许一个在0.1 -0.22uF,一个1-2.2uF以及您的大容量瓶盖。 将较小的电容器放置在靠近驱动器HB和HS针脚的位置。

    B. 您驾驶哪种电源设备? 零件号会很有帮助。 如果我们能提供更适合您需求的驱动程序,我会问您。 请注意,LM5113专为驱动增强模式GAN FET而设计。 如果您的应用不需要GAN,则您可以使用的驾驶员类型具有更大的灵活性。

    C. 请注意,这样大的盖子需要相当多的能量和时间才能充电,具体取决于低侧占空比。

    D. 您的计算结果是什么,达到了500uF的要求?  

    我希望此帖子有助于回答您的问题。 如果有,请按下面的"验证答案"按钮。

    ——丹尼尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Daniel,

    非常感谢您的快速回复!

    关于您的答案:


    B. 由于我们的转换器的额定电流和电压,我们使用Gan芯片(EPC2032)。 因此LM5113是必要的。


    D. 我们刚刚为给定PWM信号的几个电源周期的自举电容器电压得出了一个简单的模拟模型。 500 UF是由于要求上部开关的栅源电压不应低于标称值的10 %。


    由于间距问题(500uF很难放置在靠近栅极驱动电路的位置),我们可能会使用外部肖特基二极管为我们的自举式电容器供电,从而获得更好的充电性能。 您是否有LM5113的这种方法的经验?

    此致

    David
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    David,

    感谢您提供更多信息。 是的,我们已使用外部二极管运行此设备,为自举电源充电。 如果使用外部二极管,TI建议使用串联电阻器。 使用此电阻器的原因是,当开关在死机时间内摆动负极时,防止自举电源过度充电。

    只有当低侧进入第三象限传导时,SW才会负摆动。 如果此转换器仅在升压操作中工作,电流从未通过电感器反转,则SW将不会摆动负极,您可以消除电阻器,因为不存在过度充电的风险。 如果电流在某个时候通过电感器反转(可能在轻负载下),则将电阻器置于安全位置。

    为获得最佳性能,请选择一个小型低电容二极管,串联电阻为50-500欧姆。

    ——丹尼尔
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Daniel,

    再次感谢您的帮助!

    转换器的操作实际上在所有四个象限中,因此需要考虑OV保护。

    遗憾的是,添加串联电阻器将再次显著增加最小引导电容s.t。我们的电压要求正在得到满足。

    LM5113的内部夹紧装置是否仍能限制自举电压? 或者,是否可以通过直接 与自举式电容器并联添加Z二极管的夹紧电路来防止OV?

    我提出这个问题是因为我们也在讨论引导电容器的外部充电电路,我们需要再次确保电压不会超过其限值。

    此致

    David

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    David,

    尽管数据表将其称为简单的钳形电压,但实际上HB电压是内部调节的。 如果VHB–VHS处于或低于所需窗口,则允许集成启动二极管导电。 如果它在车窗上方,二极管将从电路中切出,以防止HB电压过高。 此功能仅控制内部自举二极管的传导。

    是的,当使用外部启动二极管时,可以按照您建议的方式使用齐纳二极管,以防止自举电源过压。

    我希望此帖子能解答您的问题。 如果有,请按下面的"验证答案"按钮。

    ——丹尼尔