尊敬的女士或先生
我们目前正在使用 LM5113 栅极驱动器开发逆变器
由于我们的功率半导体具有显著的栅极漏电流,因此需要一个大约500uF的大型自举式电容器来确保正常工作。
在数据表部分8.2 .2.2 中,没有说明最大引导电容器的信息。
您是否知道bootstrap帽有任何实际限制?
非常感谢您的回复
此致
David Menzi
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David,
感谢您对LM5113栅极驱动器的关注。 自举电容器的值没有特别的限制。 但是,要确保正常运行,需要考虑以下因素:
答 我建议仍使用一个或两个较小的电容器来处理高频电流。 也许一个在0.1 -0.22uF,一个1-2.2uF以及您的大容量瓶盖。 将较小的电容器放置在靠近驱动器HB和HS针脚的位置。
B. 您驾驶哪种电源设备? 零件号会很有帮助。 如果我们能提供更适合您需求的驱动程序,我会问您。 请注意,LM5113专为驱动增强模式GAN FET而设计。 如果您的应用不需要GAN,则您可以使用的驾驶员类型具有更大的灵活性。
C. 请注意,这样大的盖子需要相当多的能量和时间才能充电,具体取决于低侧占空比。
D. 您的计算结果是什么,达到了500uF的要求?
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——丹尼尔
Daniel,
再次感谢您的帮助!
转换器的操作实际上在所有四个象限中,因此需要考虑OV保护。
遗憾的是,添加串联电阻器将再次显著增加最小引导电容s.t。我们的电压要求正在得到满足。
LM5113的内部夹紧装置是否仍能限制自举电压? 或者,是否可以通过直接 与自举式电容器并联添加Z二极管的夹紧电路来防止OV?
我提出这个问题是因为我们也在讨论引导电容器的外部充电电路,我们需要再次确保电压不会超过其限值。
此致
David
David,
尽管数据表将其称为简单的钳形电压,但实际上HB电压是内部调节的。 如果VHB–VHS处于或低于所需窗口,则允许集成启动二极管导电。 如果它在车窗上方,二极管将从电路中切出,以防止HB电压过高。 此功能仅控制内部自举二极管的传导。
是的,当使用外部启动二极管时,可以按照您建议的方式使用齐纳二极管,以防止自举电源过压。
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——丹尼尔