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[参考译文] BQ2.4172万:PWM不稳定

Guru**** 2318830 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/576210/bq24172-pwm-unstable

部件号:BQ2.4172万

您好,TI:

我遇到了由BQ2.4172万 IC生成的PWM不稳定,特别是在引脚SW (引脚1和24)处。

在CC模式和稳态下,蓄电池模拟器固定为7.0V,最大1.5A时,会发生此问题 充电电流最大为1.35A。

我的PWM的模式是它生成2个占空比:40 % 和87 % ,输入电压为12V,输出电压为1.67MHz。

在稳定状态下PWM不稳定的可能根本原因是什么?

感谢您的参与。

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    您好,Aizat,

    您能否帮助绘制SW,SRN,PVCC波形并提供原理图? 您是否尝试使用了真正的电池?
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    您好,Aizat,

    另请参阅数据表第23页上的电感器,电容,感应器felllow 9.3 22电感器,电容器和感应电阻器选择指南。
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    您好,TI:

    以下是SW,IL,SRN和PVCC的图解:

    测试条件:

    • VIN = 12伏
    • 充电电流= 1.5A
    • 电池模拟器
      • VBAT = 7V
      • ILOAD = 1.5A最大值
    • 室温(25+/-2°C)

    下面是我的充电器电路示意图:

    不,我还没有尝试给真正的电池充电。 尽管如此,输出提供良好的直流电流(1.35A)和充电电压(8.3V)。

    期待您对我的电路问题的反馈。

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    您好Allen:

    请参阅所提供的示意图。

    TQ。
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    您好,Aizat,

    原理图看起来不错。 可能是布局问题。 BTST电容器(CC6)的位置如何? 请提供布局并绘制BTST,SW波形。
    顺便说一句,请尝试为真正的电池充电。
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    您好,Allen:

    BTST和SW的wafevorm是相同的,但BTST = 5V+SW除外。

    附件是我的PCB布局。

    我的PCB约束:

    1. 组件位置必须仅在1个图层(顶层)上。
    2. 组件位置必须仅在区域为54.00x 9.00 mm 的情况下放置在顶层的底部。 请参阅图。

    e2e.ti.com/.../Charger_5F00_module_5F00_layout_5F00_1A.pdf

    我已经尝试使用真正的电池充电,充电配置文件看起来不错。 CC电流为1.4A,充电电压为8.3V,终端充电为140mA。

    我尝试改变CC18,RC4和输出电容的值,但PWM信号与原始电路保持相同。

    为了消除/最小化不稳定PWM信号,我可以执行哪些其他测试?

    感谢您的支持。

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    您好,Aizat,

    它看起来是布局问题。 您应遵循以下布局指南(数据表第31页),特别是放置电感器回路IC,以改善接地轨迹。

    12.1 布局指南
    应尽量缩短切换节点上升和下降时间,以将切换损失降至最低。 的正确布局
    最大程度减少高频电流路径回路的组件(参见图23)对于防止电气和非常重要
    磁场辐射和高频共振问题。 以下是PCB布局优先级列表
    布局。 按照这一特定顺序排列印刷电路板非常重要。
    1.将输入电容器放置在尽可能靠近切换MOSFET电源和接地连接的位置并使用
    最短的铜质跟踪连接。 这些部件应放置在PCB的同一层上
    而不是在不同的图层上,并使用vias建立此连接。
    2. IC应放置在靠近开关MOSFET栅极接线端子的位置,以保持栅极驱动器信号轨迹
    清洁MOSFET驱动器的缩写。 IC可通过开关置于PCB的另一侧
    MOSFET。
    3.将电感器输入端子放置在尽可能靠近开关MOSFET输出端子的位置。 最小化
    此迹线的铜区可降低电场和磁场辐射,但使迹线足够宽
    携带充电电流。 不要为此连接并行使用多个图层。 最大限度地减少寄生虫
    从该区域到任何其他轨迹或平面的电容。
    4.充电电流感应电阻应放置在电感器输出旁边。 传递传感
    通过感应电阻器将导线连接回同一层的IC,彼此靠近(最小化回路
    区域),不要将感应导线穿过高电流路径(有关的开尔文连接,请参见图24
    最佳电流准确度)。 将去耦电容器放在IC旁边的这些迹线上。
    5.将输出电容器放在感应电阻器输出和接地旁边。
    6.输出电容器的接地连接必须与连接到输入电容器的相同铜连接
    连接至系统接地之前,请先接地。
    7.将模拟接地与电源接地分开布设,并使用单接地连接
    充电器电源接地至充电器模拟接地。 在IC的正下方,使用铜浇注进行模拟
    接地,但避免使用电源引脚,以减少电感和电容式噪音耦合。 将模拟接地连接至
    接地。 使用散热垫作为单接地,将模拟接地和电源接地连接在一起
    连接点。 或使用0 Ω 电阻器将模拟接地与电源接地连接(散热垫应连接至
    模拟接地)。 强烈建议在散热垫下方使用星形连接。
    8.将IC封装背面暴露的散热垫焊接到印刷电路板接地非常重要。 确保
    IC正下方有足够的导热孔,连接到其他层的地面。
    9.将去耦电容器放置在IC引脚旁边,并使迹线连接尽可能短。
    10.所有导通孔的大小和数量必须足以支持给定的当前路径。
    请参阅EVM设计(SLUU396),了解推荐的组件位置(带跟踪和通过位置)。