[参考译文] TPS5.455万：请向我介绍TPS5.455万。

我没有收到此事的答复。
请回答我这个问题。

非常感谢John Tucker-San！！

如果是下周，您是否有可能进行试验？
如果答案为"是"，请执行。

然后按…
以下是客户的更新评论，以下两点是其中的两点。

如果您回答这些问题，我很高兴。

(确认以下信息时是否有缺失的情况/信息？)

①操作在电源启动之前关闭电源
打开电源大约需要5毫秒，
但将ENA引脚关闭到中间的低位(约2毫秒)。

此行为是否有问题？

②Operation在电源关闭之前再次打开电源

将ENA引脚降低并关闭电源时，
如果在输出电压下降之前将ENA引脚再次设置为HiZ，则电源有时无法启动。
这种情况下IC是否会发生故障？
此外，在关闭电源后再次打开电源时，是否有指定的条件？
(例如：电源电压需要低于 〇〇V º C等....)


请帮帮我。

此致，
Sekiguchi Masumi

你好，John Tucker-San。
这种情况如何？

是否可以测量？

即使您无法测量，请联系我。
此致。

Sekiguchi Masumi

我必须查看是否有要检查的EVM。 如果我必须订购一个，那就需要几天时间。

此致，

你好，John Tucker-San。

我承认了。

我将再次联系您，查看时间安排。
非常感谢。

Sekiguchi Masumi

非常感谢您的热情支持(测量)，John Tucker-San。
因为我很容易得到详细的解释，所以我能够顺利地向客户解释。

顺便说一句，请为客户传授知识。
(但回答可能是困难的.)

无需更换由外部电源暂时控制的IC，
当使用回建议的操作时，IC是否已损坏？

此致，
Sekiguchi Masumi

我不知道你的跟进问题。 如果您担心重新启动到预偏置，则故障模式将是从VIN到PH的短路。 这将是灾难性的失败。 如果TPS5.455万重新正确启动，则很可能未损坏。 你必须看一下下沉电流。 我曾见过电流大于60 A的极端情况。在大多数情况下，电流将大大低于此值，并且不会发生损坏。

请告诉我您的情况。 自从我上次研究这个问题以来已经有很多年了，但我可能仍有一些演示材料可以分享。 我必须搜索旧的备份才能找到它们。

John Tucker-San，很抱歉您的回复太晚了。

今天，我第一次与客户谈论此事。

客户了解此问题的责任在于他们自己，
即使答案是猜测，他也表示要了解机制。

所以，请让我多了解一点。
(我们和TI不必从客户那里承担责任。)

＜问题＞
>如果在输出放电至零之前重新启动设备，当>低压侧FET首次打开时，设备将放电。
>它将一直保持打开，直到输出放电。

>这可能会导致极大的汇电流。
>当低压侧关闭时，电流必须保持连续，并将通过高压侧主体二极管返回到>输入。
>已知这会导致故障。


在本说明中，无论"EN/SS"引脚的处理如何，
如果累计此设备的输出有电荷，也会发生同样的情况？

您能告诉我们更多有关这方面的信息吗？
(我想了解这种现象并为客户提供答案)
(如果我可以回答，则此线程可以"闭合"。)

自从我以前研究过这个问题以来，已经有十多年了。 我不记得太多细节，只记得上面概述的一些一般性意见。 当时我确实生成了一些关于它的文档。 让我看看是否可以找到它。 我认为我是TI唯一一个处理该问题的人员。 可能需要几天时间才能找到它。

非常感谢您的礼貌回应。

因为多次发送也是可以的。
因此，请按找到的内容顺序发送。

此致。

你好。

很抱歉，您很忙，
这种情况如何？

您是否找到了材料？

请提供有关情况的反馈。

我在我的文件中进行了简短的搜索，但没有找到它。 我可能把它放在拇指驱动器上。 今天我会再看看一些。

感谢您搜索。
如果没有材料，你是否会评论我对下面的内容作进一步的解释？
因为有必要向客户解释机制。

所以，我想知道机制。

>我可以告诉您，TPS5.455万不是设计为开始进入预偏置。
>如果在输出放电至零之前重新启动设备，
>当低侧FET首次打开时，它将放电。
>它将一直保持打开，直到输出放电。
>这可能会导致极大的汇电流。
>当低压侧关闭时，电流必须保持连续并将继续
>返回到通过高侧主体二极管的输入。
>已知这会导致故障。
>您必须仔细监视电源循环以避免这种情况。

请告诉我这方面的情况。

如果没有材料，你是否会评论我对下面的内容作进一步的解释？
因为有必要向客户解释机制。

所以，我想知道机制。

>我可以告诉您，TPS5.455万不是设计为开始进入预偏置。
>如果在输出放电至零之前重新启动设备，
>当低侧FET首次打开时，它将放电。
>它将一直保持打开，直到输出放电。
>这可能会导致极大的汇电流。
>当低压侧关闭时，电流必须保持连续并将继续
>返回到通过高侧主体二极管的输入。
>已知这会导致故障。
>您必须仔细监视电源循环以避免这种情况。


请告诉我这方面的情况。

因为我找不到以前的数据，所以让我从记忆中尽可能详细地叙述一下。

如上所述，当TPS5.455万开始进入预偏置状态时，反馈电压高于SS电压(同相错误放大器输入是VREF和SS的较低值) 因此，低压侧FET被命令全时打开，直到输出放电足够，使反馈电压略低于SS，此时高压侧打开。 当低压侧最初位于电感器上时，电流正在下降。 在某些情况下，L值较低，Cout值较高，电感器电流可以达到极高的负值(通过低侧FET将电流吸入接地)。 当低压侧关闭时，电感器电流必须保持连续，并立即通过高压侧主体二极管导回VIN。 这可能会导致极高电流的高侧场效应管(FET)立即损坏，或者更有可能在高于ABS最大值的电压下本地充电输入电容(它可能是一个小值，如10 UF)并导致EOS。 在所述情况下。 只有在SS/ENA针快速切换时才会发生这种情况，我认为范围为20 - 30 usec。 仅在Lout值较低，输出电压较高(如5 V或更高)和输出电容较大的情况下才观察到损坏电流。 大输出电压和输出电压意味着大能量存储和较低电感值使电流更快地增加。

不幸的是，我手头没有确切的细节，但这是一般情况。 您应确保TPS5.455万输出上没有任何预偏置电压从其它系统泄漏路径中自然产生。 如果您确实有，请确保预偏置能量不足以导致负电流大于10至12 A。请勿快速切换SS/ENA。 留出足够的时间让TPS5.455万输出放电。 在这些情况下，您不应遇到任何可靠性问题。