[参考译文] LM5116-HT：无法实现输出/我们的MOSFET未打开

你好，Eric。  

我们将MOSFET (Q5)更改为 FDB390N15A。 与以前的结果没有变化

然后，我们将VCCX连接到接地。  所有结果与之前相同，除了：

引脚10。  以前是126mV，现在是0

引脚17。  以前是125mV，现在是0  

请参阅下文

我们的MOSFET (Q5)未开启，因为没有栅极驱动。 Ho和SW均处于大约4V的位置。 (19和20)

Lo是一个短持续时间脉冲。 这是否应该打开低端MOSFET并延长其使用时间，从而降低SW输出，并为高端MOSFET提供4V栅极驱动？

另外，在电感器拆除的情况下，低侧MOSFET驱动器的持续时间是多少？

谢谢！

Jeff

您好Jeff  

低接地脉冲现在短路，因为高侧开关未打开/它打开，但电感器断开。

一旦高压侧开关开始切换且电感器重新连接， 则在 稳态下由D=Vout / Vin确定LO-GND / HO-SW占空比  

－Eric Lee (应用工程)  

您好，Eric，

我们重新连接了电感器，但它仍然没有打开。  

在拆下/安装电感器的情况下，我们预期在SW (针脚20)上看到什么波形？

从我给您的任何电压来看，您能否判断IC是否损坏？  

谢谢！

Jeff

您好Jeff  

当高压侧开关打开时，SW节点电压应与降压转换器输入电压几乎相同。  

由于VCC调节器正在工作，LO正在切换，我认为IC现在不会损坏。   

高侧MOSFET开始切换后，请告诉我。 请检查门到电源电压以及所有三个端子连接。  

－Eric Lee (应用工程)

您好，Eric，

我们决定使用 适配器更改低温版本LM5116MH/NOPB的IC。  这一次，我们获得了不同的更好的结果。

但是，当我们重新连接电感器并缓慢增加电源电压时，IC发出了大量的振铃，然后芯片发生故障，我们认为电压在UVLO上过了一段时间。

电路上的负载为0。

你怎么看

谢谢！

Jeff

您好Jeff  

如果可能，我希望看到引脚18，19，20个波形(同一屏幕捕获中仅2-3个周期)。  

有趣的是，10引脚连接到17引脚，但一个引脚电压为0.5V，而另一个引脚电压为1V。  您应检查是否有任何迹线损坏。 如果从10引脚到输出和17引脚到输出的连接正常，则意味着您的DVM工作不正常。  

如果20针脚电压为53V，而10针脚电压为0.5V，则表示开路或电感器损坏。  

－Eric Lee (应用工程)  

您好，Eric，

对不起， 我可能没有解释清楚。  表中的电压是在电感器被拆下的情况下测得的。  一旦连接电感器并且(我们相信)到达UVLO，我们就会立即吹断芯片。

以后我会发送波形。

Jeff

您好Jeff  

即使在测量电压时取下了电感器，10针电压与17针电压之间的电压也是毫无意义的。

－Eric Lee (应用工程)  

您好，Eric，

我们重复了测试，但针脚10和17上的电压非常相似。  这很奇怪，因为我们上周进行了两次测试，其中引脚17为1V。

随附结果和波形。 我将引脚18和19一起捕获，18和20一起捕获，以及19和20一起捕获，因为我只有2个示波器。

仅供参考，我们正在等待交付更好的范围。

我非常感谢您迄今为止提供的所有帮助。  谢谢！

Jeffe2e.ti.com/.../8-_2D00_-TI-_2D00_-Feb-7th.docx

您好Jeff  

正如您在19号，20号波形上看到的那样，高侧MOSFET现在会切换。
下一步是连接电感器。 在连接电感器之前，请将电源电流限制设置为0.2A，然后移除负载。  
Eric Lee应用工程)

您好，Eric，

我连接了电感器(47uH)，但没有连接负载。  IC在UVLO点周围的42伏电压下爆炸。  我们在仪表上短暂地看到了大约20V的输出电压，IC发出了大量的尖叫声。  基本上，结果与上周相同。

在这里设置工作台电源的当前限值比较困难，因此明天将在实验室中使用不同的电源重复此操作，但我期待着类似的结果。  如果我们在无负载的情况下吹IC，仍然存在非常错误的情况。

谢谢！

Jeff

您好Jeff

请将电源电流限制设置为<~0.3A，这样大多数时候都不会有损坏。  
另外，请增加CSS (~ 10uF？) 然后您将有更多时间检查瞬态性能   

－Eric Lee (应用工程)  

您好，Eric，

只是为了给您一个更新。  出于某种原因，我们回到了无法从MOSFET获得输出的情况。  这与我们开始在 适配器上使用低温LM5116MH/NOPB之前的情况类似。  尽管尝试了两个不同的芯片和两个不同的电路板，但这种情况仍然存在。 一旦我们确定了正在发生的事情，我将立即回复您。

此致，

Jeff

您好，Eric，

我不确定我之前的帖子是否确实已发送。

我们设法回到我们之前的位置(低温芯片)，但也降低了(用于测试目的)，输出电压从48V降至36V。  这将使输出电压低于仍为42V的UVLO。

我们在IC上得到了很好的数字，但在连接47uH电感器后，再次将IC吹出。   

我连接了来自SW (引脚20)的迹线，以及在重新连接电感器之前获得的电压。

谢谢！

Jeffe2e.ti.com/.../10-_2D00_-TI-_2D00_-Feb-18th.docx

您好Jeff  

1. 15针脚电压错误，或设备已损坏。

2.请测量 #18负#20电压。  

3.不带电感器的引脚20波形是正常的

4.带电感器的引脚20波形异常。  

Eric Lee (应用工程)  

您好Jeff

1.请参阅高压侧开关打开时的开关电压降。 我看到5V下降，如果高侧MOSFET RDSon电阻为10mOhm，则可能由500A电感器电流引起。

2.根据您的波形， 高侧MOSFET 开启时间超过10us，这也是不正常的。  

－Eric Lee (应用工程)  

你好，Eric。

我犯了一个错误，选择了#15。  它应该是47.2mV

压降的原因是什么？我们如何解决？

谢谢！

Jeff

您好Jeff

首先，您必须检查测量值是否正确。 请测量电感器电流。

由于5V=500A x 10mOhm，Cas1)您的5V测量错误CASE2) 500A实际上 流入 电感器盒3)您的MOSFET RDSon非常高。 高于技术。   

—Eric Lee  

您好Jeff  

通常，之所以会出现如此大的压降，是因为MOSFET栅极阈值太高，或V(HO-SW)的电压不足以完全增强MOSFET。

－Eric Lee (应用工程)  

您好，Eric，

谢谢。  工程师有几天时间不在，但我会尽快让他了解这一情况。

谢谢，Jeff

您好Jeff  

如果有任何更新，请告知我

Eric Lee (应用工程)

您好，Eric，

让您知道，工程师明天就要回来了。  希望我们能尽快为您提供更新。  感谢您的耐心等待！

Jeff

您好Jeff  

如果有任何更新，请告知我

Eric Lee (应用工程)

您好，Eric，

很抱歉耽误你的时间。  工程师一直在尝试不同的方法。  我们在原理图上更改了56uF湿钽电容器的陶瓷电容器(C7-C10)，并在C11上并联添加了10uF电容。

然后，我们将UVLO降至30V，并将输出更改为12V。   

它工作正常，但当输出变为24V时，我们再次将芯片吹出。   

请参阅随附的  

Jeffe2e.ti.com/.../04.docx

您好Jeff  

我建议您在12伏电压下尽可能多地评估您的系统，因为它在12伏输出下工作。  

1.您能弄清楚哪种组件更改对您有所帮助吗？ C11？ C7//8/9//10 ?

2.您能否测量环路响应？  

3.您能否检查1号和20号针脚处是否有过冲？  

4.电感器是否饱和？

您好，Eric，

我们将处理您的问题并为您提供答案：

此外：

1.您在之前的一篇文章中评论说，高端开关的RDS (接通)较高，因此今天我们将其更改为较低的值。

高RDS (接通)值是否能够使IC熔断？

2.工作台软件提供的电源去耦合值为2u2，而快速启动电子表格显示为20uF。

哪个值是正确的，如果我们安装了较低的值，则会导致调节器停止工作？

谢谢！

Jeff

您好Jeff

1.当MOSFET受损时，IC可能同时受损。  

2. 电源去耦是否意味 着降压转换器的输入电容器？

3.我有疑问。 您是否研究过EVM布局/此器件的布局指南？   

－Eric Lee (应用工程)  

您好，Eric，

在回答您最近的问题时：

1.您能弄清楚哪种组件更改对您有所帮助吗？ C11？ C7//8/9//10 ?  我们认为电容器的变化没有任何影响。

2.您能否测量环路响应？ 遗憾的是，我们没有测量环路响应的工具

3.您能否检查1号和20号针脚处是否有过冲？ 1号或20号插针均无过冲

4.电感器饱和?。 我们不这么认为。  它是一个5A设备

1.当MOSFET受损时，IC可能同时受损。  MOSFET未损坏。 它被一个低得多的RDS (ON)取代

2. 电源去耦是否意味 着降压转换器的输入电容器？  电容器在Quickstart XLS上是Cin，在原理图中是C5。

3.我有疑问。 您是否研究过EVM布局/此器件的布局指南？   

是的，我们向PCB设计师提供了布局指南。  查看我们的光绘文件/原理图时，您是否发现了任何异常？

我们今天更换了更多的部件，并进行了一些进一步的测试，但输出电压仍然很低。  请参阅随附的。

谢谢！

Jeffe2e.ti.com/.../05.docx

您好Jeff

如果电源去耦电容器不足，可能会导致回路不稳定，那么由于不稳定，转换器可能会因振荡而损坏。 您是否观察到任何电感器电流振荡？  

这是一个正常波形。 DCM操作期间，SW节点电压会因共振而振振振。  

－Eric Lee (应用工程)   

e2e.ti.com/.../06.docxHiEric，

该工程师添加了一个缓冲器以减少过冲。  此外，我们的电感器为7A，而不是如前所述的5A。  与之前一样，当输出电压设置为低电压时，一切正常，但一旦增加(在这种情况下为24V)，IC就会发生故障。 我们不明白为什么。

Jeff

我现在不在办公室。 我会在回来时尽快作出回应

－Eric Lee (应用工程)  

您好Jeff

反馈放大器电路(包括回路补偿组件)的传输功能受Rfb2电阻值的影响。 请尝试更改R30而不是R29。  

－Eric Lee (应用工程)

您好，Eric，

因此，如果回路补偿错误，这是否会导致IC死亡？

此致，Jeff

您好Jeff  

是的，如果系统振荡，可能会造成损坏。 通常，如果系统振荡，您可以观察电感器电流振荡或听到高音调噪声。 我希望您可以测量回路响应。

－Eric Lee (应用工程)

您好，Eric，

我们将R29改回其原始值(47k)，并将R30更改为5K (1K2)。

输入电压升至31V。 输出以大约14V的电压带电

 信号开关清洁

 输入电压被降至零，然后快速升至30V。 输出开始激活，但随后IC死亡。

 安装了另一个芯片。 输出已激活，但不稳定。 然后IC就死了。

Jeff

您好Jeff  

• 如果问题是通过快速切换电源发生的，则在VIN针脚处添加一个小陶瓷电容器可能会有所帮助。  
• 您说没有过冲，但在打开电源时，最好仔细检查是否有过冲。 过冲可能通过长输入电缆发生。

－Eric Lee (应用工程)  

您好，Eric，  

很抱歉回复延迟太久。  我们尝试将组件值更改为从具有类似输入/输出条件的工作调节器设计中复制的一组值，但调节器仍然无法工作。

我们可以得出的唯一结论是布局有问题。 测试板的设计布局与TI数据表中的示例类似。 该主板现已订购，不久将进行构建和测试。

您是否注意到我们在对话开始时发送给您的布局有任何问题？

此外，还有两套设计软件：Webench和Quickstart。对于相同的输入和输出要求，根据您使用的软件包提供不同的组件值。  哪种软件是正确的？

此致，

Jeff

您好Jeff  

如有任何差异，请遵循快速入门中的组件值。  

如果您愿意，请分享您的快速入门，示意图和布局供我查看。  

—Eric Lee

您好，Eric，

随附了测试件的快速入门，原理图和布局。

此致，

Jeffe2e.ti.com/.../4604.GWK1.pdfe2e.ti.com/.../6305.LM5116_5F00_quickstart.xlse2e.ti.com/.../test-piece.pdf</s>6305. 5116

您好Jeff  

感谢您分享信息。 请参考下面我的评论。  

• 考虑在UVLO引脚上添加二极管和电容器。 请参阅功能方框图
• 在R23处使用0欧姆。 需要时稍后增加电阻值
• 在C4处使用390nF
• 在单元E24和E25处输入减额电容器值。 有效电容会因施加的电压而降低
• 再次检查R26额定功率
• D13阳极轨迹太薄
• R54和C27应放置在靠近Q6的位置
• 13号针脚应直接连接到R26的负极接头。 使用开氏连接
• 6号引脚应直接连接到网络名为'0Vb'的大型模拟接地铜缆
• 14号引脚应连接到6号和一根净名为'GND'的大功率接地铜
• 铜浇"GND"网至顶部和底部的所有空区。

Eric Lee

您好Jeff

• 使19号高侧浇口轨迹更厚
• 使#15的低侧浇口轨迹更厚
• 请靠近IC的C12

—Eric Lee

您好，Eric，

我们已尽可能落实您的意见。  随附修订的示意图。

此致，

Jeffe2e.ti.com/.../regulator-schematic.pdf

您好Jeff  

感谢您分享信息。  

—Eric Lee