我观察到二极管或有电阻TPS5450出现200mV短时脉冲波形干扰。 使用单TPS5450时,电压为60mV。
我想将毛刺降低到100mV以下。
输入电压=+24V。 输出电压= 3.7V。 电流从100mA更改为380mA。
我正在寻找一些指导原则。
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塞缪尔桑;
感谢您的快速响应。
我应该已分离二极管VF (正向电压降)增量和瞬态响应。
以下是原理图和波形(TPS5450单路和二极管OR-ed)。 如波形中所示,210mV短时脉冲波形由50mV VF增量加上160mV瞬态响应组成(如果步进从100mA变为380mA)。 TPS5450是否正常?
我猜浮点会随着 比率(步进变化后/之前)增加或初始电流值减少(但与比率密切相关)而增加。 当两组(TPS5450+二极管VF)为二极管或编辑器时,其起始电流值由它们的球值决定 当球珠完美时,初始值将为最小值(并且,浮球将为最大值)。
我计划添加虚拟负载以增加初始值(从100mA到150mA左右),降低比率, 并降低差VF。
实际测量显示,当在二极管或之后添加50mA虚拟负载时,瞬态响应从160mV (210mV - 50mV (SBD的增量VF))改善到50mV (90mV - 40mV (SBD的增量VF))。 TPS5450输出电压为3.451V和3.454V。
在从50mA步进至500mA时,我还使用单TPS5450 (不带二极管或)测量288mV短时脉冲波形干扰。 这也是正常吗?
数据表仅显示1.25A至3.75A的一个病例。 我不能确定此150mA初始值对于+280mA电流步进是安全的。
我们是否可以估计1.25A至3.75A组合以外的原因(例如 150mA至430mA)?
我们也非常感谢任何其他改进瞬态响应的建议。
附注:采用二极管Oring的原因:装置有组1电路,组2电路和共电路(1+1冗余)。 共用电路必须在单组故障下工作。 因此,共电路的电源由二极管供应,而组1的电源和组2的电源。
此致,
e2e.ti.com/.../TPS5450_5F00_diode_5F00_OR_5F00_sch_5F00_wf.pdfIt似乎我错过了附加该文件的机会。 因此,我以附件作再次答复。 预览文件成功。
user440.3086万-san,
感谢您分享原理图和波形。 我有一些想法,我将对其进行编号,以便我们跟踪。
1.每个瞬态响应的响应时间非常不同。 顶部波形为~100us,底部波形为~250US。 这让我感觉当您在R1401加载时,第二个波形R1307处的电压不会下降。 这可能是由于两点之间的一些阻抗(R1307可能有一些非零电阻,布局可能会播放一卷),但如果能再次看到第二个波形会很有趣,但R1307处的电压也会探测出来。
2.从1.25A步进至3.75A时,可提供比100mA至380mA更好的瞬态响应。 这是因为1.25A和3.75A可能都处于连续传导模式。 100mA至380mA可能从不连续传导模式转到连续传导模式,这种模式通常具有较慢的瞬态响应。 您可以通过探测PH节点来检查此情况。 如果您看到从VIN切换至GND,则您在CCM中。 如果您看到VINTo GND To (可能有一些振铃) VOUT,则您在DCM中。
您提到的虚拟负载可能会使100mA DCM点达到150mA CCM。 但最好进行探查以确保。
3.您可以通过两种方式改进瞬态响应:
塞缪尔桑;
感谢您的快速响应和非常有价值的指出。
附件是数据。
1. R1401的波形,电压也在R1307处。
差异仅在于VF增量效应。
2.在步进变化为100mA -> 380mA时,TPS5450的受监控PH节点。
波形充满别名,但似乎需要560 us从DCM进入CCM。
请验证上述读数。
e2e.ti.com/.../TPS5450_5F00_diode_5F00_OR_5F00_sch_5F00_wf2.pdf
e2e.ti.com/.../TLP5450_5F00_PCBtraces.zipAmbreesh-san,
感谢您的评论。
请记住,R1307处的波形具有相同的下垂。
我在两个TPS5450s和R1307周围连接了PCB迹线。
(R1401是35 mm ,距离R1307很远)
我认为从TPS5450 PH节点到R1307的路径最短。
路径PH节点-二极管-接地也是最短的。
路径Ph节点- L - C - GND也是最短的。
你会检查一下吗?
如果添加一个批量上限。仍然有用,请说明。
电容应是多少? 10uF陶瓷罩。已经有了。
此致,
Ambreesh-San,
很抱歉回复太晚了。
首先,我们没有设施来进行这块土地。
其次,无论如何,我必须防止TPS5450进入DCM。
通常,我保证CCM和DCM之间的阈值由"可控制的最小开启时间"确定。
为我提供如何让TLP5450留在CCM中的建议?
阈值应因输入电压和输出电压的组合而异。
因此,以下是使用条件;
输入电压:+24V +/- 5 %
输出电压:+3.5V +/-5V 2 %
最小负载电流(根据TLP5450):50mA (电流设计)
二级管ORing两个TLP5450s且 负载处于OR点可能会误导您。
对于每个TLP5450,电流从100mA到380mA的变化相当于50mA到190mA。
仅使用IC1313,我发现了以下内容:
IL = 0mA至60mA:DCM
IL = 70mA -:CCM
此致,
您是否尝试使用或两个电源? 是否用于当前共享? 如果用于当前共享,则此设计将不起作用。
一般而言,您不能并行连接两个设备来增加输出电流。 没有允许两个电路平均分担负载的机制。 一个将趋向于接近电流极限,而另一个将处于轻负载。 您可以想象使用负载共享控制器来完成此操作。
就DCM /CCM操作而言,转换取决于各种参数,在CCM模式下特定电流所需的最小电感如下所示:
如果要在较低负载下继续在CCM模式下切换,则需要增加电感。 使用68uH 作为输出电感器,在CCM模式下继续切换。
——安布莱什
Ambreesh-san;
感谢您提供信息。
首先,二极管的目的是冗余,正如我在2018年1月10日晚上9:50回复的那样。
总电流(=1.6A最大值)远远低于单TPS5450允许的最大电流(=5A)。
是否可以接受?
第二, 我已阅读“SLVA059A -了解开关模式电源中的降压-升压功率级”,并同意您的意见。
第三,我发现导致大降速的最大原因是"脉冲跳过模式",而不是DCM。
I通过结合初始电流(40mA至100mA)和增量电流(90mA至170mA)测量下降。
-我发现DCM/CCM的阈值大约为200mA,正如您之前提到的。
-即使在DCM中,电流表也大约为50mA,并且可以接受的小电流。 (<100mA正常)
我发现在初始电流小于70mA的区域,下垂会迅速增加。
在此区域中,TLP5450在脉冲跳过模式下工作。
I还使用单TLP5450 50mA --> 240mA步进变化进行测量;
1.步骤更改后,立即无显著下降。
2.之后,输出电压在400us期间逐渐下降,结果是200mV下降。
3.在400 us期间,TLP5450将留在DCM中。
4. 400 us后,TLP5450进入CCM,输出电压逐渐恢复,需要300 us。
我的目标是抑制电压下降<100mV,如果不是,电压监控器IC跳闸,并重置FPGA。
我们可以选择脉冲跳过模式的阈值电流吗?
如果可以清除阈值,我计划增加最小负载电流。
我们欢迎您提出任何建议。
此致,