[参考译文] TPS5.4424万：Cboot丢失时SW引脚对地短路

雷丁潘 

首先- TPS5.4424万断电时或仅在TPS5.4424万通电时，是否观察到SW到GND短路？

第二步-在更换TPS5.4424万之前，您是否仅尝试更换第二个TPS5.4424万上的Cboot电容器，以查看TPS5.4424万的开关接地端是否损坏，或者只是强制低侧FET进入接通状态？

关于缺少Cboot如何导致低侧FET或SW至GND损坏：

启动至开关的"Bootstrap (引导)"电容器为高端驱动器和一些支持电路供电，当开关电压因高侧FET开启而升高时，这些电路在SW和启动之间工作。  如果没有开关电容器的启动，高侧FET驱动器及其支持电路将无法正常工作。  当高侧FET仍处于"打开"状态时，高侧驱动器功能不正确可能导致低侧FET打开，并且由此产生的交叉传导可能会损坏低侧FET。

由于车尾箱由车尾箱充电电路内部供电，即使没有车尾箱至SW电容器，内部驱动器也可以拉动高侧FET门。 但是，如果没有电容器来使用SW升高车尾箱，SW将只会上升到比车尾箱充电电压低约1V的水平，从而使车尾箱压压降至SW电压

典型的机制包括：

1)启动至SW供电的防交叉传导电路无法检测到高压侧打开，允许低压侧在高压侧关闭之前打开。

内部防交叉传导电路检测高侧FET的接通或断开状态，并在高侧FET打开时抑制低侧FET的接通。  在低启动至SW电压的情况下，此电路可能无法检测到高侧FET的状态，并将其正确地电平切换至低侧FET的接地参考控制电路，从而允许低侧FET在高侧FET仍为一个时打开。

低侧FET接通时间开始时的交叉传导也会因寄生振铃而在SW引脚上产生严重负电压。  此振铃可能会导致内部SW至GND电路损坏，从而造成SW至GND的短路，这种短路通常比MOSFET短路弱(电阻更高)。

2)低启动至开关电压降低了高侧驱动器部件的过载，延迟了高侧关闭

驱动程序传播延迟和打开/关闭强度取决于启动至SW的电压。  低启动至开关电压将增加延迟并降低高端FET的关闭速度。  这可能允许低侧FET在高侧FET关闭之前打开，从而在低侧FET打开时诱导交叉传导，具有与上述效果类似的效果。

3)弱高侧FET下拉和负电感器电流也可感应交叉情况

如果电感器电流为负极或非常低，则即使在高侧FET关闭后，开关节点也会保持高电平。  发生这种情况时，漏电源电压会迅速增加，如果没有强大的下拉功能，则会电容性地打开高侧FET。  这通常称为dv/dt开启。  在高侧FET开启期间，低侧FET上最常见，但在低侧FET关闭期间，高侧FET上也可能存在这种情况。

确定低侧FET是否已被交叉传导损坏，或其它SW至GND电路是否已被负电压振铃损坏，将确定故障器件的检查。