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部件号：TL494 TL494是否可以向负电压轨吸收电流？ 我想将发射器连接到负电压轨，以切换收集器上的PMOS。
更具体地说，输出晶体管基座处于0伏的断开状态是不是将基座连接到发射器？
如果是以前的配置，则无法关闭所需的配置。
这是一个非常基本的图，我对所需的开关方法进行了基本的描述，只是显示了输出晶体管，我想知道输出晶体管是否可以在发射器上有这样一个负电源时成功关闭(并以合理的速度)， 如果需要，我可以将负极电源降低到15V左右。 
这是目前为止的完整电路，它用于串联驱动5-7个50W或100W LED模块，在1.5 /3.5A时约170-230V (输出是输出盖旁边的两个垫片)。
我有其他转换方法，但我认为这是可取的。
如果不使用一些相当可疑的方法，我无法找到一种方法来使用NMOS和我需要的输出反馈地面。
如果我能找到PMOS以合理的价格切换全电流，我将移除NPN晶体管。 全BJT开关可实现良好的安全拓扑，但 我不喜欢这样做，因为切换速度低，需要从控制电路电源中释放合理的开关电流。
这是一个相当试验性的,因此修剪器无处不在.
感谢您的快速支持！ 我想在完成设计之前，我可能需要购买一个，以便对其进行测试。
我做了一些搜索，找到了这个输出晶体管结构图
这让我认为这是一种不可避免的情况，因为关闭这似乎取决于输出晶体管的正向栅极电压高于逆变器晶体管的VCE，而 发射器上的负极电压较高则不是这种情况？
我想听听您的设计师的意见，因为我本以为如果它阻止操作，会在数据表上注明。
这是我使用NMOS开关的设计，我觉得这不是一个特别好的主意，因为PNP会在MOSFET打开之前为基座提供一段短时间内高达线路电压的电压， 保险丝存在 ，以防未完全打开以保护齐纳和开关电路的其余部分。 由于高电压BJT，速度也会稍微慢一些。
在我前面的图中，25V电源来自变压器，它也为控制电路供电。 
您认为这是一个合理的拓扑吗？ 否则，我正在考虑降低切换速度以使用完整BJT开关，并仅处理高波纹及其对PWM控制的影响，或者通过使用一个简单的输出比较器 与振荡器分离并通过 光电隔离器切换，完全放弃PWM。 这 将需要第二个LV电源，并会导致调节较差，但这并不是应用的重大问题。
