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[参考译文] BQ34Z100-G1:闪存写入

Guru**** 2330830 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100-G1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/575672/bq34z100-g1-writing-on-flash

部件号:BQ34Z100-G1

您好,

我正在项目中使用BQ34Z100-G1,我想使用内部温度传感器,为此,我必须更改 Pack配置寄存器上"temps"位的值, 但是,关于如何写入闪存的解释对我来说不是很清楚。  除了我在fórum中已经找到的有关端接电压示例的一些错误之外,还有其他三个问题:

1. 在数据表的第26页 上,默认值为0x161,但在我看来,它与第34/35页上对这些位的单独描述不匹配: 较低字节的第7位是0,考虑到默认值是0x161,而在各位的单独描述中则是1。 我认为它对我当前的内部温度传感器问题没有任何影响,但这让我感到困惑;

2.在端接电压示例中感到困惑的另一件事:如果0x50在0x40...0x5F范围内,它如何超出第一个32字节块? 我只能假设我搞错了;

3.最后 一个也是最重要的问题: 阅读第21页上的示例,我知道要写入闪存的值在命令BlockData()中。 但是,我认为我也搞错了,因为我无法理解如何使用第19页提到的0x55...0x5F范围内的预期值来执行此操作,也不知道值0x4B来自第21/22页示例中的位置。 换言之,我完全无法理解流程中指定有效写入的值的部分。 另外,如果我要写入Pck配置寄存器(0x41)的较低字节,会发生什么变化?

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    Vitor,

    #1:数据表似乎有一个错误,RMFCC (位7)的默认设置应为“0”。

    2:电池端接电压位于50H子类以及53和54字节。 这是块1的第21字节和第22字节。

    #3:尝试使用随附文档中的示例。 它们是一个更详细的步骤。

    Tom


    e2e.ti.com/.../slua790.pdf

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    好的,谢谢。 我来看看。

    Vítor Pereira