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[参考译文] LM5113:引导二极管的反向恢复损耗

Guru**** 2330310 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5113
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/575713/lm5113-reverse-recovery-losses-for-bootstrap-diode

部件号:LM5113

您好!

我有兴趣在设计中使用LM5113引导驱动程序。 查看数据表后,我看到图中显示了反向恢复损失的图表。 数据表的19。

http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm5113.pdf

根据图解,在200 kHz的切换频率下,损耗约为50 mW。 这对我来说似乎很奇怪(似乎太大了!)。  

根据表6.6 ,自举二极管在I_F和I_R下的TRR为40 ns,而I_R为100 mA。

以下是我的问题:

1. I_R是否表示峰值反向恢复电流(I_RR)?

2.如果是,图19中的图是否基于相同的I_RR和t_RR值?

3.如果没有,图19中的图解所用的测试条件(峰值反向恢复电流和TRR或Qrr)是什么?

谢谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Deepak,

    感谢您对LM5113 GAN驱动程序的关注。 关于您的三个问题:

    1.是的,我对这种测试条件的理解是,它是指达到100mA的峰值I_RR

    2和3。 图19中图解的确定条件是,高侧驱动器的负载是总栅极电荷为10nC的GAN FET,而半桥的总线电压为50V。 我的可用数据不包括此测试的峰值I_RR。 表6.6 中的t_RR参数和图19中的图不应假定处于相同的测试条件下。

    我希望此帖子能解答您的问题。 如果是,请按下面的绿色"验证答案"按钮。

    ——丹尼尔