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[参考译文] LM5060：开机时LM5060燃烧

admin
Guru**** 2325560 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5060
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/574645/lm5060-lm5060-burn-at-power-on

部件号：LM5060

您好，

为了保护我们的产品免受过高电压的影响，我在产品前面插入了LM5060。

我使用OVP和电流限制功能，UVLO引脚按照数据表的暗示连接到VIN。

OVP设置为29V，限制 电流远高于我们所需的1A。

我把原理图连接起来，RDS是115mOhm

当我使用实验室电源进行测试时，我从12伏左右开始，然后轻轻向上爬升以找到阈值。

它工作正常，功率降低到29V以上。

现在，当我将电源设置为35V或更高电压并插入电缆时，LM5060会冒烟，即使没有负载

当我们的客户未阅读手册，将我们的设备插入有源POE (而不是24V无源POE)时，我们需要48V的保护。

此原理图有什么问题？

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    TI__Guru**** 2325560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    文森特

    您需要了解FET功能，特别是其SOA处理+ Ciss，CRM。  您说LM5060烟熏，是唯一的设备损坏还是其他损坏？ 我怀疑FET可能已经燃烧，可能是因为它无法处理电源耗散。  FET将看到与输出电容器充电时完全相同的能量。  在短通电时间内需要1/2 CV^2，并且 需要坚固的SOA FET。  查看FET DS的输入电容(用于计时器需求)及其SOA处理。  测量输入电流(不是输出电流，因为输出电流盖 可能位于测量点 (电流探针)和FET之间。  您想知道在  您需要完成的任意范围内，FET以及Vin，Vout，Vgate和计时器引脚通过了哪些内容。  给定115mohm FET，它是一个小芯片，可能无法处理总能量。   需要使用"全部输出"，即使是原理图上的任何"输出"(未显示)，也可以了解完整的条件。  请尝试使用 www.ti.com/hotswap上的设计计算器电子表格 来提供帮助。  

    Brian  

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    TI__Guru**** 2325560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Brian，

    首先，感谢您在这么短的延迟时间内提供的帮助。
    I使用的晶体管是ST的STD10NF10T4 (13A/100V/115mohm)。
    在我更换LM5060之后，它运行得很好。 通电时，我的负载低于0.25A/24V。
    对于Cout，我有一个具有100uF/47uH/100uF的CLC过滤器，直流/直流转换器在其后面。
    我没有电流探头。
    根据我对设计计算器的理解，定时器针脚上的电容器太小，我应该有10nF而不是1nF。
    门控是否为必填项？

    文森特
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    TI__Guru**** 2325560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     文森特

    是的，计时器上限需要增加，可能是您计算的10nF。  我怀疑 250uF输出的输入浪涌电流(~ 1ms上升时间)较高(>10A)，因此LM5060在通电时处于故障状态。  您可以查看Vin，Vgate，Vout和计时器以查看正在发生的情况。   观察定时器盖的上升速度，以了解它是6uA (正常启动，Vgs达到5V后下降)还是11uA (故障)充电电流。  您的OVP是否仍为29V且施加了35V？  UVLO设置为超低电压，因此Vin POR将在~ 5V时打开LM5060。  如果输入电压仍在上升，则涌入电流将随着输入电压dv/dt (如果较慢)而上升，因为设备在如此低的电压下打开。  无论采用哪种方式，如果OVP跳闸，则闸门上的80mA下拉将导致LM5060处的输入电压上升到非常高的水平(超过DS 75V额定值)，输出电压下降到GND (额定值-0.3V)以下，这两种情况都将损坏LM5060。  同样，如果发生故障超时，80mA将使闸门下拉，并且Vin和Vout将发生相同的瞬态。   请参阅attahced di/dt Impact pdf。  您需要输入TV和输出肖特基(均为高功率)来抑制这些瞬变。  Vin瞬态很可能导致LM5060死亡。  所连接的电视和肖特基 是非常大的一个尝试,你可以根据你的测试从那里回来.  您很可能会选择较小的版本，但选择其中一个以从实际测试中获取信息，您还可以在到达某个位置后获得SMB大小。 您应在某个时候借用电流探头，因为您想知道将电流卸入电视。

    栅极的RC将降低浪涌电流(降低输出电压dv/dt)  但是，您需要确保正常6uA启动电荷到CT的总时间足够长，以便Vgate达到每个DS的5V，并且您还需要确保低于11uA电流进入的故障级别。  较长的CT会增加设备看到过载电流的时间，因此请注意。  对于浇口，使用1k串联加一个Cgate。  电阻器隔离栅极，因此80mA有效地将FET栅极向下拉。  

    Brian

    e2e.ti.com/.../Voltage-transient-protection-for-HS-due-to-di_5F00_dt-CB-event.pdfe2e.ti.com/.../Output-Schottky-SK153.pdfe2e.ti.com/.../Littelfuse_5F00_TVS_5F00_Diode_5F00_5_5F00_0SMDJ_5F00_Datasheet.pdf