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[参考译文] TPS4.306万：自举二极管选择指南

admin
Guru**** 2325560 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/572942/tps43060-bootstrap-diode-selection-guide

部件号：TPS4.306万

各位专家，您好！

我的客户正在使用TPS4.306万开发升压转换器。 其规格为：

输入电压24V (+/-24V 3 %)
输出电压36V (最大)
输出电流10A

由于数据表中没有显示有关选择自举二极管的详细说明，您能否告诉我所需的自举二极管规格？
二极管部件号的准确示例非常有用。

提前感谢

此致，

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    TI__Guru**** 2325560 points
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    TI EVM使用半MBR1H100SFT3G二极管，肖特基功率整流器，1A，100V。 数据表部分9.2 ．2.1 中有一些文本描述了这些要求，但我同意它没有提供太多指导。
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    TI__Guru**** 2325560 points
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    您好，John：

    感谢您的回复。 数据表仅介绍了二极管要求"外部二极管的击穿电压额定值应大于输出电压"。 当前需求如何？

    我看到TI EVM使用100V，1A肖特基部件。 由于客户的设计规格与EVM不同，因此客户使用了“TPS4.306万/61 CCM Boost Excel设计工具”，并根据Excel的建议获得了无源组件参数。 例如，Cboot为0.33uF +/-Cboot 10 % 50V部件。

    我想一些电流流流在二极管的低压侧FET上刚刚截断，然后为Cboot充电。 因此，平均电流可能不像1A那么大。 但我不确定浪涌电流有多大。

    客户询问TI如何确定自举二极管的峰值电流，平均电流，峰值浪涌电流和VF的最低要求。 这些参数是否有公式或理论？

    请帮我支持这个问题。
    此致，
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    TI__Guru**** 2325560 points
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    如您所知，我在e2e论坛上花了很多时间，经常回答一般问题。  但我不直接支持TPS4.306万。   让我看看我是否可以将您的问题交给合适的人。

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    TI__Guru**** 2325560 points
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    1.二极管的最大电压应高于SW，的最大电压，SW是VOUT添加电压峰值。
    二，二极管的平均电流为FSW*Qg。 QG是VCC处的高侧MOSFET驱动电荷。
    3.二极管应是超快恢复，低反向漏电二极管。
    4.二极管的浪涌电流实际上是由电阻器(与Vcc串联)限制的，如数据表中所建议。或者，您可以与二极管串联添加一个电阻器，以限制启动期间的浪涌电流。电阻器通常为几欧姆。

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    TI__Guru**** 2325560 points
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    您好，Jasper：

    感谢您的支持！

    1.既然二极管的阴极是与护罩相连的，我认为(开关峰值)+(VCC +一定的余量)-(二极管的VF)必须用于二极管的最大电压。 请问您对VCC利润率的建议是什么？
    2.我明白了。
    3.关于超快恢复，我如何评估二极管的速度是否足够快？ 同样，我是否可以推荐反向泄漏电流？ TI EVM使用Semi MBR1H100SFT3G，其反向电流看起来为40uA@Tj=25°C和0.5mA@Tj=125°C。 这种规格是否足够？
    4.了解血清电阻器的重要性。

    此致，
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    TI__Guru**** 2325560 points
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    1.我建议二极管的额定电压是1.2 * VR，VR是二极管的电压应力。
    3.我认为类似1N4148的二极管应该可以应用。