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[参考译文] BQ2.557万EVM-206：冷启动电压阈值。 330mV或500mV？

admin
Guru**** 2318830 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/572711/bq25570evm-206-cold-start-voltage-threshold-330mv-or-500mv

部件号：BQ2.557万EVM-206

大家好，

我正在为客户评估用于TEG能量采集的bq2.557万EVM-206。  TEG电压(进入EVM)缓慢升高。  正如数据表中所述，我预计EVM将以330mV启动，但它在500mV左右才会生效。  规格：

  • 这是冷启动(没有任何盖子上的剩余电荷，EVM上没有电池(Vbat上的470uF盖子)。  
  • MPPT处于50 % (冷起动不重要)
  • 跳线连接BAT_OK至VOUT_EN
  • 底部左侧3针接头上无跳线(vster/VOUT_EN/GND)

我已经探测了"TP2 LBOOST"旁边的VIA，信号模糊约330mV，然后以500mV硬切换。

如何确保冷起动电压阈值为330mV？

谢谢！

Sam

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    TI__Guru**** 2318830 points
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    Sam，

    330mV VIN (CS)规格是典型规格。 最大规格为400mV。 IC应以400mV开始切换。 您是否添加了FET以隔离Vstor和/或VBAT上的负载，直至您退出冷启动？
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    TI__Guru**** 2318830 points
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    Jeff，

    EVM处于默认设置中(与我提到的设置不同)。 我是否必须添加此FET？

    我有点不清楚。 此FET将什么与什么隔离开来？ Vstor来自VBAT？

    谢谢！
    Sam
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    TI__Guru**** 2318830 points
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    Sam，

    FET不在EVM上，因此您必须添加它。 在冷起动期间，目标是尽快使vstor电压高于~1.8V。 Vstor上的任何负载或VBAT上的大电容器都将降低速度。 因此，我通常建议添加PFET，Vster/VBAT的源和由反向VBAT_OK信号驱动的门。
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    TI__Guru**** 2318830 points
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    Jeff，

    这很有意义。

    我在用户指南第3页中看到，

    "防止系统进入欠压
    如果启动时存储元件已耗尽，强烈建议隔离系统
    1)通过1)设置VBAT_OK，等于降压转换器的启用信号VOUT_EN和2)从vstor加载
    使用NFET反转BAT_OK信号，使其驱动PFET门，从而隔离系统
    从vstor加载。"

    我将对部件进行分解！ 感谢您的快速响应！
    Sam
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    TI__Guru**** 2318830 points
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    Jeff，

    因此，我在VBAT上测试了这款EVM (完全没有电容，但仍能正常工作)。 不是很好，但它可以正常工作)，而且它在~500mV之前仍然无法启动。 这意味着不会从VBAT加载，也不会从Vout加载，因为VOUT_EN与BAT_OK相关联。

    对于可能发生的情况，您是否有其他想法？

    谢谢！
    Sam
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    TI__Guru**** 2318830 points
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    Sam，

    当我支持此零件时，我从未看到VIN (CS)> 400mV。 在冷起动时，输入电压实际上被夹紧到330mV-400mV。 您的电源是什么？
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    TI__Guru**** 2318830 points
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    Jeff，

    电源是一个TEG仿真器(MCU充电帽)，串联电阻为~5欧姆。 电压在大约2分钟的时间内从0V降至0.8V。

    Sam
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    TI__Guru**** 2318830 points
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    Sam，

    这应该是可行的。 我用类似的东西进行了测试。 TEG可能无法提供足够的电流，直至其输出为500mV。
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    TI__Guru**** 2318830 points
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    Jeff，

    TEG输出不会下降，因此在输出达到~500mV之前不会加载。 我还在没有~5欧姆的情况下进行了串联测试，它仍以~500mV开始。

    Sam