[参考译文] CSD17313Q2：关于CSD17313Q2的连续雪崩能量问题。

Bob，  

UIS和雪崩等级在数据表的首页提供。 如果您要求重复的雪崩评级，我们不会提供。  

一般而言，我们不建议在应用中将FET置于雪崩状态，因为如果这种情况再次发生，我们无法对设备的长期可靠性作出任何预测。 一般来说，对于FET而言，对于再次发生的雪崩事件(即使是非常小的能量事件)所造成的破坏并不是很清楚。 我们的竞争对手声称其数据表上有保证的重复雪崩，只是这样做，但其单脉冲能力却大大降低。  

尊敬的Brett Barr1：

非常感谢您的快速响应。

祝您一切顺利。
Bob Lee。

尊敬的Brett Barr：

我可以添加一个问题吗？

1.雪崩能量是否有单脉冲时间的定义？

2.是否有持续漏电流封装限制时间的定义？
μs小于100 μ m，这是否也是一个问题？

祝您一切顺利。
Bob Lee。

Bob，  

零件在雪崩(或该物质的电流)中可吸收的能量量因持续时间的长短而异。  

持续时间越长，可消耗到FET中的电流/能量就越少。  

数据表的图11提供了显示电流和雪崩脉冲持续时间之间关系的曲线。  

只要结点温度保持在ABS最大值以下或首选125度以下，设备的包装限制电流的持续时间就不受限制。 但是，如果最终在包装限制下运行而不为部件提供散热的方法，则会导致部件过热。 这种情况发生的速度取决于主板和散热环境的热阻抗和电容。  

尊敬的Brett Barr：

非常感谢您的回复。

祝您一切顺利。
Bob Lee。