[参考译文] BQ2.7542万-G1：BQ2.7542万-G1不存在ROM模式，但i2c写入未显示任何故障

 请检查 并遵循bq2.7542万-G1 TRM (技术参考手册)第111页图B-5中的顺序。 "I2C或HDQ中的ROM模式退出顺序"。

 谢谢！

Phil

我也在做同样的事。 但仍无法退出ROM模式。

问题：在退出ROM模式之前，我是否应该写入完整的bqfs文件？？ 现在我只执行了两 个写操作。

 是的。 以下是一些亮点：一旦进入ROM模式，用户测试设置必须能够打开BQFS或DFFS文件，并以与FlashStream文件完全相同的顺序执行每个I2C或HDQ事务。 完成FlashStream文件中的所有命令后，用户测试系统将发送“Exit ROM mode (退出ROM模式)”过程(图B-5)。 在退出ROM模式后，在尝试使用I2C地址0xAA与目标设备进行I2C或HDQ通信之前，必须至少发生250毫秒的延迟。

Phil

Phil，您好！

我编写了一些C代码来执行i2c事务。 现在我要解析整个bqfs文件。 现在出现的另一个问题是我遇到了校验和错误。
宽：16 00 04 00 00 00 83 DE
宽：16 64 65 01
X：200
C：16 66 00
宽： 16 00 02 00 00 00 00 EA FF 33 A0 FA 33 12 FB 33 8C FE 33 D1 FE 33 FF FF 3F FF 3F FF 3F FF 3F FF 3F FF 3F FF 3F FF 3F FF 3F FF FF 3F FF FF 3F FF FF FF FF FF FF FF 3F FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF FF 3F FF FF 3F 01 02 3F 58 CB 33 FB 00 08 01 00 00 00 00 00 00 FF AA 0E FB A7 0E FF A6 0E FF A1 0E FF A0 0E FF A0 0E FE A3 0E 62 A2 0E D2 FF 3A FF A1 0E 63 A0 0E FF A3 0E
这些说明进展顺利。 从下一次写入(即从W：16 64 D5 35)，我得到i2c故障。 进一步写入会导致i2c故障。
此外，在比较指令中，读取数据为0x02，而不是0x00。 我认为这是校验和错误。

以前曾报告过类似的问题。
e2e.ti.com/.../22.1507万
e2e.ti.com/.../15.8561万

有什么建议吗？？

I2C写入故障问题已被清除。 这是因为i2c缓冲区大小为32字节。 因此当我们写入96字节时，缓冲区溢出，从而使整个程序退出。

但校验和错误问题仍然存在。 当我读取寄存器(在比较指令中)时，它与bqfs文件中的值不匹配。 希望是校验和错误。 它适用于所有比较指令。 读取数据为0x30，0xff，0x34等。

是否有任何更新？？

我购买了一个新的定制板并尝试将dffs文件加载到其中。 在执行此命令后，W: 16 00 03 00 00 i2c写入和校验和读取成功。 在下一个命令上，W: 16.6403万 00我们得到了i2c故障(错误：未指定原因)。 因此，自定义代码将执行“退出ROM”模式过程。
当我们检查设备的地址时，它显示0x0B。 因此我们运行一个执行从ROM模式退出的代码。 我们再次检查了设备地址，它给出了0x55。
我们再次尝试加载相同的代码。 前几次，其行为如上所述
然后它只响应0x0B地址。
我们接下来应该怎么做？？
这是否意味着燃油表被晃了？ 如果是，它是否会响应任何从属地址？
在不使用燃油表的情况下，我们应该遵循什么程序来执行此操作？

提前感谢

我需要更多的时间来研究您的案例，一旦收到，我将立即给出答案。
谢谢！
Phil

您好，Pavitra，

您是如何提取闪存流文件的。 您是否使用bqstudio进行了提取。

您是否能够使用bqstudio在设备上对闪存进行编程？

 您使用的是EV2300或EV2400的哪个固件版本？ 您可能需要更新固件版本。

谢谢

Onyx

Flashstream文件由客户端提供。 他们使用bqstudio。

我没有EV2300和EV2400。 将尝试获取一个并尝试上述步骤。

是否有其他方法可供验证？