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目前，我正在开发SiC半桥电路，并尝试使用引导电源，而不是高端和低端开关的隔离电源。 但是，为高端交换机实施-5V关闭似乎是一个问题。
有人能给我一些提示来解决这个问题吗？
目前，我正在开发SiC半桥电路，并尝试使用引导电源，而不是高端和低端开关的隔离电源。 但是，为高端交换机实施-5V关闭似乎是一个问题。
有人能给我一些提示来解决这个问题吗？
X V
我正在重新发布，因为插图没有显示在网上。 请参阅下文。
您好，XV：
有多种方法可为SiC MOSFET生成正负驱动电压，而无需隔离偏置电源和开关节点浮动偏置电源。
最简单的实施方法是在驱动器和栅极之间安装一个齐纳和平行电容器，此图可在UCC2.125万数据表的第33页中看到。
此电路在占空比范围方面有限制(低占空比可能不是充满电的电容器)，在电容器充电之前，初始循环没有负驱动，并且负驱动不能长时间保持。
使用自举概念的另一个想法是为正电压提供正常的自举电源，并为高压导轨提供一个参考的偏压电源以提供负偏压自举。 请参见下图。 低压侧开关打开时，正极电源充电；高压侧开关打开时，负极电源充电。 这确实需要单个隔离偏置，但电源输出不会像与交换机节点引用的偏置电源一样暴露在高dV/dt下。 需要小心防止高压侧浮动电容器过度充电，建议与二极管串联限制电阻，可能需要限制齐纳二极管。
